[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：

第一导电类型的半导体衬底；

第二导电类型的外延层，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；

形成在所述外延层中的第一导电类型的电阻区；

第二导电类型的半导体隐埋区，所述半导体隐埋区跨所述半导体衬底和所述外延层之间的边界形成，并且具有比所述外延层更高的杂质浓度；

第二导电类型的第一半导体区，所述第一半导体区与所述半导体隐埋区接触，到达所述外延层的表面，与所述电阻区电连接，并且具有比所述外延层更高的杂质浓度；以及

第一导电类型的半导体隔离区，所述半导体隔离区形成为与所述半导体隐埋区间隔开，并与所述半导体衬底接触。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其具有：

作为电阻元件的功能；以及

作为静电保护元件的功能。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中，所述电阻元件包括电阻区；以及

其中，所述静电保护元件包括：

寄生双极晶体管，其具有：

作为发射极的所述电阻区；

作为基极的所述外延层和半导体隐埋区；以及

作为集电极的所述半导体衬底。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其还包括：

覆盖所述外延层的层间绝缘膜；

第一插头，其穿过所述层间绝缘膜到达所述电阻区；

第二插头，其穿过所述层间绝缘膜到达所述第一半导体区；以及

配线，其形成在所述层间绝缘膜之上并与所述第一插头和第二插头电连接。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，在平面图中，所述电阻区沿第一方向延伸，并且

其中，在平面图中，所述第一半导体区沿第一方向延伸并与所述电阻区平行。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在平面图中，所述电阻区和所述第一半导体区沿直线布置。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，在平面图中，所述电阻区沿第一方向延伸；并且

其中，所述第一半导体区包括：

第一部分，其在平面图中沿所述第一方向延伸，以及

第二部分，其在平面图中沿第一方向延伸，并平行于所述第一部分；并且

其中，在平面图中，所述电阻区位于所述第一半导体区的所述第一部分和所述第一半导体区的所述第二部分之间。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，在平面图中，所述半导体隔离区围绕所述半导体隐埋区。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，

其中，在截面图中，所述半导体隐埋区的一端部和所述半导体隔离区之间的第一距离等于所述半导体隐埋区的另一端部和所述半导体隔离区之间的第二距离。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，

其中，在截面图中，所述半导体隐埋区的一端部和所述半导体隔离区之间的第一距离小于所述半导体隐埋区的另一端部和所述半导体隔离区之间的第二距离。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其包括：

输入端子；以及

输入晶体管，其与所述输入端子电连接；

其中，所述电阻区的一端部与所述输入端子电连接，并且

其中，所述电阻区的另一端部与所述输入晶体管电连接。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电阻区还作为低通滤波器的组成元件。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一导电类型为p型，以及

其中，所述第二导电类型为n型。