[发明专利]一种双沟槽的带浮空区的低导通电阻碳化硅MOSFET器件与制备方法

摘要

本发明提供一种双沟槽的带浮空区的低导通电阻碳化硅MOSFET器件与制备方法，包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型沟槽区、多晶硅、栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第二导电类型浮空区、第一导电类型漂移区、第一导电类型衬底和漏极。本发明所述第二导电类型栅氧保护区下移，引入的空间电荷区对电子的阻碍减小，因此器件的导通电阻减小；第二导电类型浮空区在漂移区中引入新的电场峰，同时对器件栅氧电场起到屏蔽作用，因此提升器件击穿电压；重掺杂第二导电类型沟槽区有效屏蔽栅氧电场，保护栅氧。

主权项

1.一种双沟槽的带浮空区的低导通电阻碳化硅MOSFET器件，包括：第二导电类型多晶硅栅极(6)；设置在第二导电类型多晶硅栅极(6)上方的第一导电类型多晶硅栅极(5)；包裹第二导电类型多晶硅栅极(6)的槽栅介质(7)；设置在槽栅介质(7)两侧的对称结构的源极(1)；设置在源极(1)底部的第一导电类型源接触区(2)、第二导电类型基区(3)和重掺杂第二导电类型沟槽区(4)；自上而下依次设置在槽栅介质(7)下方的第一导电类型漂移区(10)、第一导电类型衬底(11)以及漏极(12)；其特征在于，所述第一导电类型漂移区(10)设置有第二导电类型栅氧保护区(9)，所述第二导电类型栅氧保护区(9)两侧设有第二导电类型浮空区(8)。