[发明专利]一种碳化硅功率器件终端及其制作方法

摘要

本发明提供一种碳化硅功率器件终端制作方法，其中包括步骤一、提供N+‑SiC衬底，在N+‑SiC衬底上形成N‑‑SiC外延层；步骤二、在N‑‑SiC外延层内部制备P型主结、P型场限环、P‑i‑N结构以及N型截止环；其中，P型主结和P型场限环的内部刻蚀有浅凹槽，在浅凹槽的内部填充有介质层；P‑i‑N结构位于P型主结与相邻P型场限环之间以及各个相邻P型场限环之间的N‑‑SiC外延层内，P‑i‑N结构包括沿平行于终端表面且平行于P型主结的方向分布的P型掺杂区和N型掺杂区；步骤三、在N‑‑SiC外延层表面上淀积覆盖终端表面的钝化层。本发明还提供一种碳化硅功率器件终端。本发明能够提高器件的击穿电压和可靠性。

主权项

一种碳化硅功率器件终端制作方法，其特征在于，包括：步骤一、提供N+‑SiC衬底，在所述N+‑SiC衬底上形成N‑‑SiC外延层；步骤二、在所述N‑‑SiC外延层内部制备P型主结、P型场限环、P‑i‑N结构以及N型截止环；其中，所述P型主结和所述P型场限环的内部刻蚀有浅凹槽，在所述浅凹槽的内部填充有介质层；所述P‑i‑N结构位于所述P型主结与相邻P型场限环之间以及各个所述相邻P型场限环之间的N‑‑SiC外延层内，所述P‑i‑N结构包括沿平行于所述终端表面且平行于所述P型主结的方向分布的P型掺杂区和N型掺杂区；步骤三、在所述N‑‑SiC外延层表面上淀积覆盖所述终端表面的钝化层。