[发明专利]一种3D NAND存储器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种3D NAND存储器件及其制造方法，通过刻蚀衬底形成凸柱阵列，在凸柱周围形成了包围下部的底层牺牲层，底层牺牲层之上进一步形成绝缘层和牺牲层交替层叠的堆叠层，在堆叠层中形成的沟道孔位于凸柱之上，沟道孔中用于形成与凸柱连接的存储层，该凸柱作为沟道孔中存储层底部的源线选通管的沟道区，在底层牺牲层被置换为金属层之后，金属层作为栅极、凸柱作为沟道区，最终形成源线选通管器件。该方法中，通过刻蚀衬底形成源线选通管的沟道区，减少了制造工艺中的热需求，减少对外围电路中的器件形成造成影响，同时，源线选通管的沟道区保持衬底的晶格结构，为高质量的沟道区，提高源线选通管器件的性能。

主权项

1.一种3D NAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底；刻蚀所述衬底，以形成具有凸柱阵列的凹陷区；在凸柱及凹陷区表面上形成栅介质层；在凹陷区的栅介质层上形成包围凸柱的底层牺牲层，所述底层牺牲层低于所述凸柱；在所述底层牺牲层及凸柱之上形成绝缘层和牺牲层交替层叠的堆叠层；刻蚀所述堆叠层，在对应于凸柱的区域上形成沟道孔，所述凸柱为源线选通管的沟道区，所述沟道孔用于形成与凸柱连接的存储层；在所述沟道孔中形成存储层，存储层包括沟道孔侧壁上的电荷捕获层、电荷捕获层及凸柱上的沟道层、以及沟道层间的绝缘填充层；将堆叠层中的牺牲层以及底层牺牲层置换为金属层；其中，刻蚀所述衬底形成凸柱阵列和刻蚀所述堆叠层形成沟道孔的步骤中，采用相同的掩膜版。