[发明专利]一种3D NAND存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种3D NAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

刻蚀所述衬底，以形成具有凸柱阵列的凹陷区；

在凸柱及凹陷区表面上形成栅介质层；

在凹陷区的栅介质层上形成包围凸柱的底层牺牲层，所述底层牺牲层低于所述凸柱；

在所述底层牺牲层及凸柱之上形成绝缘层和牺牲层交替层叠的堆叠层；

刻蚀所述堆叠层，在对应于凸柱的区域上形成沟道孔，所述凸柱为源线选通管的沟道区，所述沟道孔用于形成与凸柱连接的存储层；

在所述沟道孔中形成存储层，存储层包括沟道孔侧壁上的电荷捕获层、电荷捕获层及凸柱上的沟道层、以及沟道层间的绝缘填充层；

将堆叠层中的牺牲层以及底层牺牲层置换为金属层；

其中，刻蚀所述衬底形成凸柱阵列和刻蚀所述堆叠层形成沟道孔的步骤中，采用相同的掩膜版。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，刻蚀所述衬底，以形成具有凸柱阵列的凹陷区，包括：

在所述衬底上形成硬掩膜层以及图案化的光阻层；

以所述光阻层为掩蔽，图案化第一硬掩膜层；

以图案化的硬掩膜层为掩蔽，刻蚀所述衬底，以形成具有凸柱阵列的凹陷区。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在凹陷区的栅介质层上形成包围凸柱的底层牺牲层，包括：

进行底层牺牲层的填充；

进行底层牺牲层的平坦化；

刻蚀去除部分厚度的底层牺牲层。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，在所述底层牺牲层及凸柱之上形成绝缘层和牺牲层交替层叠的堆叠层，包括：

进行第一层绝缘层的填充；

进行第一层绝缘层的平坦化，第一层绝缘层高于凸柱的上表面；

在第一层绝缘层上交替层叠牺牲层和绝缘层，以形成堆叠层。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述电荷捕获层包括依次层叠的氧化硅、氮化硅和氧化硅，所述沟道层为多晶硅。