[发明专利]一种高导电性的三维存储器及其形成方法

摘要

本发明公开了一种高导电性的三维存储器及其形成方法，属于半导体技术领域。所述方法包括：提供含有待填充区域的主体结构；在待填充区域中旋涂聚丙烯腈溶液，并在主体结构的上表面形成聚丙烯腈薄膜；对含有聚丙烯腈薄膜的主体结构进行热退火处理后，进行碳化处理形成碳填充的沟道通孔和共源极阵列、及覆盖主体结构上表面的碳膜；去除碳膜。本发明中的方法，不仅工艺流程简单、缩短了工艺周期，而且降低了三维存储器的制作成本；在工艺过程中，也大大降低了由于应力造成的晶片翘曲程度，进而减少了由于晶片翘曲引起的工艺问题；同时由于碳具有高导电性，使得含有碳填充的沟道通孔和共源极阵列的三维存储器具有更好的设备电器性能。

主权项

1.一种三维存储器形成方法，其特征在于，包括：提供的主体结构，所述主体结构包括衬底、所述衬底上的叠层结构、所述叠层结构上的介电层，以及第一待填充区域和第二待填充区域；在所述第一待填充区域和第二待填充区域中旋涂聚丙烯腈溶液，并在所述主体结构的上表面形成聚丙烯腈薄膜；对含有聚丙烯腈薄膜的主体结构进行热退火处理后，进行碳化处理，在所述第一待填充区域形成碳填充的沟道通孔，在所述第二待填充区域形成碳填充的共源极阵列，以及形成覆盖所述主体结构上表面的碳膜，所述碳化处理后碳的电导率大于600S/cm；去除所述碳膜。