[发明专利]一种金属栅极结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710772186.6 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107527805B | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 左明光;彭浩;万先进;吴关平 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种金属栅极形成方法，该方法包括提供衬底，衬底上设置有栅极待填充区域，沿栅极待填充区域表面依次形成阻挡层和扩散层，向栅极待填充区域内填充金属介质，形成电极层。其中，扩散层的金属原子能够扩散到电极层中。本申请提供的金属栅极形成方法，通过在阻挡层与电极层之间形成扩散层，扩散层的原子能够扩散到电极层中，与电极层中的空位结合，占据电极层中的空位，与周围的原子形成新的键合，降低因电迁移导致的质量亏损，避免金属栅极中因电迁移导致的空位聚集形成的空洞，提高器件稳定性，延长器件寿命。本申请实施例还公开了一种金属栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 栅极 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属栅极的形成方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底，所述衬底设置有栅极待填充区域；沿所述栅极待填充区域表面依次形成阻挡层和扩散层；向所述待填充区域内填充金属介质，形成电极层；其中，所述扩散层的金属原子能够扩散到电极层内；所述扩散层由镍以及铂中的至少一种材料组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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