[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置在审
| 申请号： | 201710769888.9 | 申请日： | 2017-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN107507868A | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 王东方;袁广才 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司11262 | 代理人： | 林桐苒,李丹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，其中，该薄膜晶体管包括栅电极和源漏电极，栅电极和/或源漏电极为包括保护层和导电层的电极，保护层包括设置在导电层表面的第一保护层和设置在导电层侧面的第二保护层，第二保护层用于阻隔氧化硅，通过在电极的导电层的侧面设置阻隔氧化硅的第二保护层，避免了氧化硅中的氢从导电层的侧面“游走”并进入导电层而导致的电极的接触电阻不均匀甚至断裂，进而改善了薄膜晶体管中电极的导电性，提高了薄膜晶体管的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅电极和源漏电极；栅电极和/或源漏电极为包括保护层和导电层的电极；所述保护层包括：设置在所述导电层表面的第一保护层和设置在导电层侧面的第二保护层，所述第二保护层用于阻隔氧化硅。
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