[发明专利]一种阵列基板的制造方法和阵列基板

摘要

本发明公开了一种阵列基板的制造方法，制造方法包括步骤：提供一第一基板；提供第一光罩，在第一基板上设置主动开关；提供第二光罩，在主动开关上设置光刻胶，对主动开关进行第一次湿法蚀刻，对主动开关进行第一次干法蚀刻，对主动开关进行第二次湿法蚀刻，对主动开关进行第二次干法蚀刻；其中，主动开关包括金属层，用于金属层的蚀刻液包括磷酸、乙酸和硝酸，蚀刻液中的硝酸的浓度为1.8％至3.0％；提供第三光罩，在金属上设置保护层；提供第四光罩，在保护层上设置像素电极层。本发明由于降低在蚀刻(2W2D)步骤中用于金属层的蚀刻液里硝酸的浓度，经调控减少主动开关中非晶硅层和欧姆接触层的边缘长度，从而降低源/漏极层线宽较小可能有断线风险。

主权项

一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括步骤：提供一第一基板；提供第一光罩，在所述第一基板上设置主动开关，所述主动开关包括金属层；提供第二光罩，在所述主动开关上设置光刻胶，对所述主动开关进行第一次湿法蚀刻，对所述主动开关进行第一次干法蚀刻，对所述主动开关进行第二次湿法蚀刻，对所述主动开关进行第二次干法蚀刻，在蚀刻中用于所述金属层的蚀刻液包括磷酸、乙酸和硝酸，所述蚀刻液中的所述硝酸的浓度为1.8％至3.0％；提供第三光罩，在所述金属上设置保护层；提供第四光罩，在所述保护层上设置像素电极层。