[发明专利]QLED器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201710742141.4 | 申请日： | 2017-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN109427933B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 李龙基;曹蔚然 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/26 |
| 代理公司： | 44237 深圳中一专利商标事务所 | 代理人： | 黄志云 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种QLED器件，包括依次设置的阳极、量子点发光层、电子传输层和阴极，所述电子传输层为Bi‑Bi | ||
| 搜索关键词： | 电子传输层 异质结结构 发光层 载流子 阴极 电致发光器件 电子迁移率 阳极 光学性能 依次设置 有效平衡 量子点 | ||
【主权项】：
1.一种QLED器件，其特征在于，包括依次设置的阳极、量子点发光层、电子传输层和阴极，所述电子传输层为Bi-Bi
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