[发明专利]利用Nb掺杂调谐Ga2O3禁带宽度的方法有效
| 申请号： | 201710741284.3 | 申请日： | 2017-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN107513695B | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 邓金祥;张浩;潘志伟;白志英 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 利用Nb掺杂调谐Ga2O3禁带宽度的方法，属于半导体材料领域。使用射频磁控溅射设备在单晶抛光硅片(Si)上沉积一层Nb:Ga2O3薄膜材料。用一种管式炉慢退火的杂质激活工艺，使Nb:Ga2O3薄膜材料中Nb分布均匀化；使Nb离子迁移到晶格中的空位缺陷处，并由间隙位占据替代位；减少结构缺陷，提高结晶化程度，增大晶粒尺寸，进一步提高薄膜质量。与已有技术相比，本发明的特征在于通过选用Nb作为掺杂剂，Ga2O3的禁带宽度有更大的禁带宽度调谐范围。 | ||
| 搜索关键词： | 禁带 调谐 薄膜材料 掺杂 射频磁控溅射设备 半导体材料领域 退火 单晶抛光硅片 晶粒 结构缺陷 空位缺陷 离子迁移 杂质激活 掺杂剂 结晶化 晶格 种管 沉积 薄膜 占据 替代 | ||
【主权项】：
1.利用Nb掺杂调谐Ga2O3禁带宽度的方法，其特征在于：(1)使用射频磁控溅射设备在单晶抛光硅片上沉积一层Nb:Ga2O3薄膜材料；Nb:Ga2O3薄膜的生长方式为以下两种之一：Nb靶材和Ga2O3靶材共溅射，获得掺杂均匀的Nb:Ga2O3薄膜材料；按照Ga2O3沉积层、Nb2O5沉积层、Ga2O3沉积层、Nb2O5沉积层…..Ga2O3沉积层、Si衬底这样分层生长Nb:Ga2O3薄膜材料；(2)在管式炉中慢退火，慢退火温度为1000℃；恒温时间60‑240min，慢速退火保护气体为Ar、N2或O2；通入保护气体后，开始升温，整个退火过程持续通气。
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