[发明专利]非易失性存储器设备有效
| 申请号： | 201710740518.2 | 申请日： | 2017-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN107785048B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 金志锡;朴一汉;朴世桓 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 蔡军红 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种非易失性存储器设备，包括：包括存储器单元串的存储器单元阵列，所述存储器单元串包括接地选择晶体管和多个串联连接的非易失性存储器单元；连接到接地选择晶体管的接地选择线和连接到多个存储器单元的多个字线；被配置为生成施加到多个字线的编程验证电压和读取电压的电压生成器；以及被配置为基于编程验证温度偏移来控制对编程验证电压的补偿并且基于读取温度偏移来控制对读取电压的补偿的控制电路。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 设备 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器设备，包括：包括存储器单元串的存储器单元阵列，所述存储器单元串包括接地选择晶体管和多个串联连接的非易失性存储器单元；连接到所述接地选择晶体管的接地选择线和连接到所述多个存储器单元的多个字线；电压生成器，被配置为生成施加到所述多个字线的编程验证电压和读取电压；以及控制电路，被配置为基于编程验证温度偏移来控制对所述编程验证电压的补偿，以及基于读取温度偏移来控制对所述读取电压的补偿，其中，所述多个字线被划分为包括两个或更多个字线的多个字线组，并且所述控制电路根据在所述多个字线组中的每一个中的一个字线与所述接地选择线之间的距离和操作温度在所述多个字线组当中的相应字线组中设置编程验证温度偏移和读取温度偏移。
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