[发明专利]非易失性存储器设备

说明书

一种非易失性存储器设备，包括：包括存储器单元串的存储器单元阵列，所述存储器单元串包括接地选择晶体管和多个串联连接的非易失性存储器单元；连接到接地选择晶体管的接地选择线和连接到多个存储器单元的多个字线；被配置为生成施加到多个字线的编程验证电压和读取电压的电压生成器；以及被配置为基于编程验证温度偏移来控制对编程验证电压的补偿并且基于读取温度偏移来控制对读取电压的补偿的控制电路。

优先权申请的引用

本申请要求于2016年8月26日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2016-0109051的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

所述技术的各方面涉及非易失性存储器设备。

背景技术

最近，根据半导体存储器设备的存储容量的显著增加，能够替代包括硬盘的现有大型数据存储设备的半导体存储器设备的竞争力逐渐增加。

半导体存储器设备一般被划分成易失性存储器设备和非易失性存储器设备。当切断非易失性存储器设备的电力时，非易失性存储器设备可以维持所存储的数据而不会丢失所述数据，并且可以用作存储设备或系统的存储器。最近，非易失性存储器设备当中的快闪存储器设备广泛用作包括硬盘的大容量数据存储设备。

快闪存储器设备的存储器单元阵列可以包括多个存储器单元串，并且存储器单元串中的每一个可以包括多个串联连接的存储器单元。存储器单元的阈值电压可以根据各种操作条件被改变，并且改变后的阈值电压使得读取失败，因此降低了快闪存储器设备的可靠性。相应地，需要用于补偿由改变后的阈值电压导致的可靠性降低的技术。

在背景技术部分公开的上述信息仅仅旨在增加对本发明背景技术的理解，因此其可能包含不构成为在该国家对本领域普通技术人员来说已知的现有技术的信息。

发明内容

所述技术的各方面致力于提供一种能够提高可靠性的非易失性存储器设备，以及一种补偿其操作电压的方法。

一实施例提供了一种非易失性存储器设备，包括：包含存储器单元串的存储器单元阵列，所述存储器单元串包括接地选择晶体管和多个串联连接的非易失性存储器单元；连接到接地选择晶体管的接地选择线和连接到多个存储器单元的多个字线；被配置为生成施加到多个字线的编程验证电压和读取电压的电压生成器；以及被配置为基于编程验证温度偏移来控制对编程验证电压的补偿并且基于读取温度偏移来控制对读取电压的补偿的控制电路。多个字线可以被划分为包含两个或更多个字线的多个字线组。控制电路可以根据操作温度和在多个字线组中的每一个中的一个字线与接地选择线之间的距离在多个字线组当中的相应字线组中设置编程验证温度偏移和读取温度偏移。

另一实施例提供了一种具有3D结构的非易失性存储器设备，包括：通过在垂直方向将多个存储器单元层压到基底而形成的多个存储器单元串；连接到多个存储器单元串的每一个的接地选择晶体管和多个串联连接的非易失性存储器单元的多个字线；被配置为生成施加到多个字线的编程验证电压和读取电压的电压生成器；以及被配置为基于编程验证温度偏移来控制对编程验证电压的补偿并且基于读取温度偏移来控制对读取电压的补偿的控制电路。多个字线可以被划分为包括两个或更多个字线的多个字线组，并且控制电路可以根据操作温度和在多个字线组中的每一个中的一个字线与基底之间的距离在多个字线组当中的相应字线组中设置编程验证温度偏移和读取温度偏移。