[发明专利]一种化合物半导体致命缺陷分析系统和分析方法

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种化合物半导体致命缺陷分析系统和分析方法，当生产批次完成某金属层的工艺制造后，该生产批次将进入电性测试机台进行电性测试，同时通过缺陷扫描机台对该金属层的表面进行缺陷扫描，数据采集系统将实时从两个机台上获取该生产批次的关键电性参数的电性测试数据和缺陷扫描数据，然后通过匹配分析检验模块生成关键电性参数良率Map和缺陷分布Map，采用图形叠加运算的方式，搜索出与致命缺陷参考模型相似的晶圆，并在搜索出的晶圆的叠加Map上突出显示与致命缺陷参考模型相似的位置区域，为工艺整合工程师是否进行工艺线生产暂停提供数据支撑，为工艺、设备工程师是否进行工艺改进、机台维护保养提供理论依据。

主权项

一种化合物半导体致命缺陷分析系统，其特征在于，包括缺陷分析系统和数据采集系统，所述数据采集系统从电性测试机台采集在制批次晶圆的关键电性参数的电性测试数据，从缺陷扫描机台采集在制批次晶圆的缺陷扫描数据，并将采集到的数据实时传输至缺陷分析系统；所述缺陷分析系统包括：匹配分析检验模块，用于根据从数据采集系统接收到的单片晶圆的电性测试数据生成关键电性参数良率Map，根据单片晶圆的缺陷扫描数据生成缺陷分布Map，并将单片晶圆的关键电性参数良率Map与其对应的缺陷分布Map叠加在一起形成叠加Map；相似度搜索模块，用于分析关键电性参数良率低于n％的叠加Map并根据分析设置致命缺陷参考模型，搜索出与致命缺陷参考模型相似的晶圆，并在搜索出的晶圆的叠加Map上突出显示与致命缺陷参考模型相似的位置区域。