[发明专利]OLED背板制作方法有效
| 申请号： | 201710735718.9 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107564854B | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 舒适;徐传祥;王久石 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 阚梓瑄;王卫忠 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种OLED背板制作方法，其包括以下步骤，在玻璃基板上形成半导体层并进行图案化工艺；在半导体层上依次形成栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏金属层和平坦层；对层间绝缘层的位于源漏金属层覆盖范围之外且位于平坦层覆盖范围之外的部分进行刻蚀，并在层间绝缘层的对应于位于平坦层覆盖范围之外的源漏金属层边缘的部分刻蚀形成底切结构；在平坦层以及位于平坦层覆盖范围之外的层间绝缘层和源漏金属层上形成像素电极，像素电极的位于平坦层覆盖范围之外的部分被底切结构断开；进行光刻工艺；进行光刻胶剥离。本发明能够改善现有OLED产品制作工艺中因银残留而导致的显示不良，同时具备与现有OLED产品的其他工艺的较佳的兼容性。 | ||
| 搜索关键词： | oled 背板 制作方法 | ||
【主权项】：
一种OLED背板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在玻璃基板上形成半导体层并进行图案化工艺；在半导体层上依次形成栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏金属层和平坦层；对层间绝缘层的位于源漏金属层覆盖范围之外且位于平坦层覆盖范围之外的部分进行刻蚀，并在层间绝缘层的对应于位于平坦层覆盖范围之外的源漏金属层边缘的部分刻蚀形成底切结构；在平坦层以及位于平坦层覆盖范围之外的层间绝缘层和源漏金属层上形成像素电极，像素电极的位于平坦层覆盖范围之外的部分被底切结构断开；进行光刻工艺；以及进行光刻胶剥离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710735718.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
