[发明专利]一种制膜方法有效
| 申请号： | 201710735705.1 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107513692B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 耿波;白志民;王厚工;丁培军;赵晋荣;罗建恒;张超 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;罗瑞芝 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种制膜方法。该制膜方法，用于在晶圆上溅射形成薄膜，包括溅射步骤：所述溅射步骤包括循环的第一溅射阶段和第二溅射阶段，从而调节所述薄膜的密度和应力，直至所述薄膜的厚度满足设定要求。该制膜方法通过向靶材施加脉冲直流溅射方式，并调节所述脉冲直流功率的占空比和/或功率值，来控制薄膜的沉积速率，实现在高功率下，增加溅射能量但并不增加薄膜的沉积速率，平衡沉积速率和溅射能量的关系，达到增加薄膜的致密性，并适当降低薄膜的沉积速率，延长薄膜工艺时间，增加生产稳定性，获得应力更大的薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 薄膜 制膜 沉积 半导体加工技术 脉冲直流功率 薄膜工艺 脉冲直流 增加生产 高功率 速率和 占空比 致密性 靶材 晶圆 施加 平衡 | ||
【主权项】：
1.一种制膜方法，用于在晶圆上溅射形成薄膜，其特征在于，包括溅射步骤：所述溅射步骤包括循环的第一溅射阶段和第二溅射阶段，从而调节所述薄膜的密度和应力，直至所述薄膜的厚度满足设定要求；其中，所述溅射步骤包括：向靶材施加脉冲直流功率，并调节所述脉冲直流功率的占空比和/或功率值，以形成所述循环的第一溅射阶段和第二溅射阶段；并且，所述第一溅射阶段的所述脉冲直流功率的占空比为40％～80％，所述第二溅射阶段的所述脉冲直流功率的占空比为0％～20％；和/或所述溅射步骤的所述脉冲直流功率的功率值为5kW～10kW；或者，在所述溅射步骤前，还包括启辉步骤：向靶材施加射频功率；并且，所述溅射步骤的所述脉冲直流功率的功率值为1kW～6kW；其中，当在所述第一溅射阶段，向靶材施加脉冲直流功率同时，向靶材施加射频功率时，所述第一溅射阶段的所述脉冲直流功率的占空比为0％，所述第二溅射阶段的所述脉冲直流功率的占空比为40％～80％；当在所述第二溅射阶段，向靶材施加脉冲直流功率同时，向靶材施加射频功率时，所述第一溅射阶段的所述脉冲直流功率的占空比为0％，所述第二溅射阶段的所述脉冲直流功率的占空比为0％。
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