[发明专利]一种制膜方法有效
| 申请号： | 201710735705.1 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107513692B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 耿波;白志民;王厚工;丁培军;赵晋荣;罗建恒;张超 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;罗瑞芝 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 薄膜 制膜 沉积 半导体加工技术 脉冲直流功率 薄膜工艺 脉冲直流 增加生产 高功率 速率和 占空比 致密性 靶材 晶圆 施加 平衡 | ||
1.一种制膜方法，用于在晶圆上溅射形成薄膜，其特征在于，包括溅射步骤：所述溅射步骤包括循环的第一溅射阶段和第二溅射阶段，从而调节所述薄膜的密度和应力，直至所述薄膜的厚度满足设定要求；其中，
所述溅射步骤包括：向靶材施加脉冲直流功率，并调节所述脉冲直流功率的占空比和/或功率值，以形成所述循环的第一溅射阶段和第二溅射阶段；并且，所述第一溅射阶段的所述脉冲直流功率的占空比为40％～80％，所述第二溅射阶段的所述脉冲直流功率的占空比为0％～20％；和/或所述溅射步骤的所述脉冲直流功率的功率值为5kW～10kW；或者，
在所述溅射步骤前，还包括启辉步骤：向靶材施加射频功率；并且，所述溅射步骤的所述脉冲直流功率的功率值为1kW～6kW；其中，
当在所述第一溅射阶段，向靶材施加脉冲直流功率同时，向靶材施加射频功率时，所述第一溅射阶段的所述脉冲直流功率的占空比为0％，所述第二溅射阶段的所述脉冲直流功率的占空比为40％～80％；
当在所述第二溅射阶段，向靶材施加脉冲直流功率同时，向靶材施加射频功率时，所述第一溅射阶段的所述脉冲直流功率的占空比为0％，所述第二溅射阶段的所述脉冲直流功率的占空比为0％。
2.根据权利要求1所述的制膜方法，其特征在于，当在所述溅射步骤前，还包括启辉步骤时，所述溅射步骤的所述射频功率的功率值为1kW～3kW。
3.根据权利要求1所述的制膜方法，其特征在于，当在所述溅射步骤前，还包括启辉步骤时，所述溅射步骤的所述射频功率的频率为13.56MHz、27MHz、40MHz或60MHz。
4.根据权利要求1所述的制膜方法，其特征在于，所述第一溅射阶的时间为5s～10s；所述第二溅射阶段的时间为5s～10s。
5.根据权利要求1所述的制膜方法，其特征在于，在所述溅射步骤，向基座施加偏置射频功率，以在所述晶圆上形成负偏压，从而调节所述薄膜的密度和压力。
6.根据权利要求5所述的制膜方法，其特征在于，所述偏置射频功率的功率值为0kW～2kW。
7.根据权利要求1所述的制膜方法，其特征在于，在所述溅射步骤前，还包括加热步骤：
向反应腔室通入第一气体，并控制所述第一气体的气流，使得所述反应腔室内的第一气压保持恒定；
同时，对所述晶圆进行加热至设定温度。
8.根据权利要求7所述的制膜方法，其特征在于，在所述溅射步骤前，还包括加热步骤：
所述第一气体为氩气，所述第一气压为1T～2T；
所述加热温度为300℃～400℃，所述加热时间为1min。
9.根据权利要求1所述的制膜方法，其特征在于，在所述溅射步骤前，还包括控压步骤：
向反应腔室通入第二气体，并控制所述第二气体的气流，使得所述反应腔室内的第二气压保持恒定。
10.根据权利要求9所述的制膜方法，其特征在于，所述第二气体为氩气和氮气的混合气体，所述第二气压为10mT～200mT。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司，未经北京北方华创微电子装备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710735705.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
