[发明专利]顶栅自对准薄膜晶体管层叠结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201710735365.2 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107507867A | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 王国英;宋振 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司11438 | 代理人： | 阚梓瑄,王卫忠 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种顶栅自对准薄膜晶体管层叠结构及其制作方法，顶栅自对准薄膜晶体管层叠结构包括衬底、遮光材料层、有源层以及依次设于有源层之上的栅极介质层、栅极层、钝化层和源漏极层。遮光材料层设于衬底之上且形成有凹槽结构。有源层设于凹槽结构的槽底。本发明利用遮光材料层的凹槽结构完全避免了底光照对器件电学特性的影响，提高器件的光照稳定性。另外，与现有具有金属遮光层的器件相比，本发明进一步避免了金属遮光层对器件电学特性的影响，保证了像素电路中驱动管与开关晶体管的特性一致性。本发明结构简单，降低了生产成本，同时也提高了开口率。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 薄膜晶体管 层叠 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种顶栅自对准薄膜晶体管层叠结构，其特征在于，所述顶栅自对准薄膜晶体管层叠结构包括：衬底；遮光材料层，设于所述衬底之上且形成有凹槽结构；有源层，设于所述凹槽结构的槽底；以及依次设于所述有源层之上的栅极介质层、栅极层、钝化层和源漏极层。
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