[发明专利]一种具有二维电子气去噪屏蔽环的AlGaN紫外探测器

摘要

本发明公开了一种具有二维电子气去噪屏蔽环的AlGaN紫外探测器，该探测器从下至上包括衬底、GaN或AlN缓冲层、GaN高掺杂背面导电层、非掺杂GaN层、n型AlGaN有源耗尽区以及p型AlGaN雪崩结；非掺杂GaN层与n型AlGaN有源耗尽区之间构成二维电子气沟道屏蔽结构；p型AlGaN雪崩结的上方设置有雪崩结阳极；探测器还包括各电极结构。本申请可以大幅降低有源区外围及背底产生的暗电流，提高探测器的信噪比和探测效率。器件采用GaN/AlGaN二维结构形成2DEG沟道等电势面作为漏电流和噪声的屏蔽结构，通过2DEG沟道等电势面接地滤除有源区周边和背面衬底的噪声电流，有助于实现低噪声高增益，高信噪比和探测效率的紫外探测器。