[发明专利]一种三维存储器的制备方法及其结构

摘要

本发明提供的一种三维存储器的制备方法及其结构，通过将上层接触孔和对准标记的掩膜图形组合在同一张掩膜上，从而减少了掩膜数量，降低了三维存储器的制造成本，减少三维存储器的生产周期。

主权项

1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一基板，在所述基板上形成三维存储器的外围电路区和阵列存储区；在所述基板上设置一层第一硬掩膜以覆盖所述三维存储器的外围电路区和阵列存储区，在所述第一硬掩膜上覆盖第一光阻层，利用一次曝光和蚀刻工艺将所述第一光阻层和第一硬掩膜图案化；利用所述图案化后的第一硬掩膜，通过一次蚀刻工艺在三维存储器中同时形成对准标记和所述阵列存储区的上层接触孔；利用所述对准标记进行套刻对准，通过曝光和蚀刻工艺形成所述阵列存储区的下层接触孔。