[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

在一种制造包括在存储单元区域中形成的非易失性存储器和在外围区域中形成的逻辑电路的半导体器件的方法中，在存储单元区域和外围区域中的衬底上方形成掩模层。在外围区域上方形成抗蚀剂掩模。通过使用抗蚀剂掩模作为蚀刻掩模，图案化存储单元区域中的掩模层。在存储单元区域中蚀刻衬底。在蚀刻衬底之后，形成存储单元区域中的存储单元结构和用于逻辑电路的栅极结构。形成介电层以覆盖存储单元结构和栅极结构。在介电层上执行平坦化工艺。在平坦化操作期间平坦化存储单元结构的上部部分。本发明的实施例还涉及一种半导体器件。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括在存储单元区域中形成的非易失性存储器和在外围区域中形成的逻辑电路，所述方法包括：在所述存储单元区域和所述外围区域中的衬底上方形成掩模层；在所述外围区域上方形成抗蚀剂掩模；通过使用所述抗蚀剂掩模作为蚀刻掩模，在所述存储单元区域中图案化所述掩模层；蚀刻所述存储单元区域中的衬底；在蚀刻所述衬底之后，在所述存储单元区域中形成存储单元结构和形成用于所述逻辑电路的栅极结构；在所述存储单元结构和所述栅极结构上方形成介电层；以及在所述介电层上执行平坦化操作，其中，在所述平坦化操作期间，平坦化所述存储单元结构的上部部分。