[发明专利]非易失性存储器装置以及数据操作方法

摘要

非易失性存储器装置以及数据操作方法。一种非易失性存储器装置，包括：存储器单元阵列和行解码器电路。在将第一预脉冲施加到连接到第一虚拟存储器单元的第一虚拟字线之后，在将第二预脉冲施加到连接到第二虚拟存储器单元的第二虚拟字线之后，行解码器电路导通选择的存储器块的多个单元串的存储器单元。

主权项

一种非易失性存储器装置，包括：至少包括第一存储器块的至少一个存储器块，第一存储器块包含以与基底垂直堆叠的行和列布置的多个单元串，其中，单元串包括连接到串选择线的串选择晶体管、连接到地选择线的地选择晶体管、连接到字线的多个非易失性存储器单元、连接到第一虚拟字线的第一虚拟存储器单元和连接到第二虚拟字线的第二虚拟存储器单元；行解码器电路，被配置为：在数据读取操作期间，将电压波形施加到串选择线、地选择线、字线以及第一虚拟字线和第二虚拟字线，包括：将串线选择电压施加到针对选择的单元串的选择的串选择线，以导通选择的单元串的串选择晶体管；将地线选择电压施加到针对选择的单元串的选择的地选择线，以导通选择的单元串的地选择晶体管；将读取通过电压施加到未选择的非易失性存储器单元的未选择的字线，以导通选择的单元串的未选择的非易失性存储器单元；将读取选择电压施加到选择的非易失性存储器单元的选择的字线，以从选择的非易失性存储器单元读取数据；将串选择线预脉冲施加到未选择的单元串的串选择线，然后施加未选择的串选择线电压，以截止未选择的单元串的串选择晶体管；将地选择线预脉冲施加到未选择的单元串的地选择线，然后施加未选择的地选择线电压，以截止未选择的单元串的地选择晶体管；将第一虚拟字线预脉冲施加到第一虚拟字线使得第一虚拟存储器单元导通然后截止，并随后将第一虚拟字线电压施加到第一虚拟字线，以再次导通第一虚拟单元；将第二虚拟字线预脉冲施加到第二虚拟字线使得第二虚拟存储器单元导通然后截止，并随后将第二虚拟字线电压施加到第二虚拟字线，以再次导通第二虚拟单元。