[发明专利]一种基于半导体基底的低损耗表面等离激元耦合器及其制备方法有效
| 申请号： | 201710717844.1 | 申请日： | 2017-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN107526124B | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 刘文杰;金崇君 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 张玲春 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于半导体基底的低损耗表面等离激元耦合器及其制备方法，其中，表面等离激元耦合器包括：第一金属层、衬底、半导体外延层、电流扩展层、第一介质层、第二金属层、第二介质层、第三金属层。其中，第二金属层包括激发槽，第三金属层包括散射槽；第二介质层起到波导作用，将传播的SPP限制在波导层中传播，第二介质层两个侧壁的金属具有超平整表面。 | ||
| 搜索关键词： | 介质层 表面等离激元 耦合器 半导体基底 第二金属层 低损耗 金属层 制备 半导体外延层 第一金属层 电流扩展层 波导作用 平整表面 波导层 散射槽 侧壁 衬底 传播 金属 激发 | ||
【主权项】：
1.一种基于半导体基底的低损耗表面等离激元耦合器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：在衬底上形成半导体外延层；步骤二：在衬底背面形成第一金属层；步骤三：在半导体外延层上表面形成电流扩展层；步骤四：在另一个具有超平整表面的基板上形成第二金属层；步骤五：在步骤四所述的第二金属层表面形成第一介质层，形成基板/第二金属层/第一介质层结构；步骤六：将步骤五所述的基板/第二金属层/第一介质层结构与步骤三所述的第一金属层/衬底/半导体外延层/电流扩展层结构面对面贴合，由下至上形成第一金属层/衬底/半导体外延层/电流扩展层/第一介质层/第二金属层/基板结构；步骤七：对步骤六所述结构进行加压力和加热；步骤八：冷却至室温或接近室温后，用外力去除基板，由下至上形成第一金属层/衬底/半导体外延层/电流扩展层/第一介质层/第二金属层结构；步骤九：在所述的第二金属层的超平整表面形成激发槽；步骤十：在具有激发槽的第二金属层表面形成第二介质层；步骤十一：在所述第二介质层表面形成第三金属层；步骤十二：在第三金属层表面形成散射槽。
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