[发明专利]沟槽型MOSFET功率器件及其制作方法

摘要

本发明提供一种沟槽型MOSFET功率器件及其制作方法，所述制作方法包括：1）提供一衬底，于所述衬底的表面形成外延层；2）于所述外延层中刻蚀出环形沟槽；3）于所述环形沟槽内侧形成环形阱区，于所述环形阱区中形成源区和重掺杂区；4）依次形成栅介质层和栅极；5）形成钝化层；6）形成环形窗口，于所述环形窗口内形成源极欧姆接触层，于所述衬底底部表面形成漏极欧姆接触层；7）刻蚀出栅极窗口；8）分别制作栅极电极、源极电极和漏极电极。本发明通过把最高电场拉入器件体内，解决现有技术中因为电场强度太大导致器件被过早击穿的问题，从而提高器件可靠性，保证电路及设备安全，同时能帮助提高电能利用率以及实现电子电力装置的小型化。

主权项

一种沟槽型MOSFET功率器件制作方法，其特征在于，包括以下步骤：1)提供一第一掺杂类型的重掺杂的衬底，于所述衬底的上表面形成第一掺杂类型的轻掺杂的外延层；2)于所述外延层中刻蚀出环形沟槽；3)于所述环形沟槽内侧形成至少一个延伸至所述环形沟槽底部的第二掺杂类型的环形阱区，于所述环形阱区中形成一第一掺杂类型的重掺杂的环形源区，于所述环形沟槽底部形成至少一第二掺杂类型的环形重掺杂区，其中，至少一所述环形重掺杂区位于所述环形沟槽底部的环形阱区内；4)于完成所述步骤3)得到的结构表面形成栅介质层，于位于所述环形阱区上表面的所述栅介质层表面形成第一掺杂类型的重掺杂的栅极；5)于完成所述步骤4)得到的结构表面形成钝化层；6)于所述钝化层和所述栅介质层中形成环形窗口，所述环形窗口暴露出所述环形源区及位于所述环形沟槽底部的所述环形阱区内的所述环形重掺杂区，于所述环形窗口内形成源极欧姆接触层，于所述衬底底部表面形成漏极欧姆接触层；7)于所述钝化层内对应于所述栅极的位置形成栅极窗口；8)于所述栅极窗口内形成栅极电极，于所述源极欧姆接触层表面形成源极电极，于所述漏极欧姆接触层表面形成漏极电极。