[发明专利]一种筛选异常晶粒的方法

摘要

本发明属于半导体领域，尤其涉及通过晶粒的光电性能参数筛选异常晶粒的方法，本发明通过测试晶粒的光电特性，并通过晶粒坐标转换的方法来筛选出异常晶粒，提高晶粒镜检作业时的工作效率，并且减少漏检现象发生，减少客诉率，同时提高工作效率。

主权项

1.一种筛选异常晶粒的方法，其包括如下步骤：步骤1、提供一晶片，所述晶片包括一衬底，以及位于所述衬底上的复数个阵列的晶粒；步骤2、对所述复数个晶粒中的部分晶粒进行光电性能测试，获得光电性能测试结果，其中反向漏电流参数记为IR0；再对所述已测试光电性能的晶粒再次进行ESD性能测试，获得ESD性能测试结果，其中反向漏电流参数记为IR1；步骤3、用ESD性能测试结果中反向漏电流参数IR1的值替换光电性能测试结果中反向漏电流参数IR0的值， 由此得到一晶粒抽测结果，所述抽测结果中反向漏电流参数记为IR0’，设定IR0’的标准值，反向漏电流IR0’大于标准值的晶粒判定为异常晶粒；步骤4、根据所述抽测结果绘制晶粒抽测图，并标记异常晶粒在晶粒抽测图中的位置坐标为A（a,b）；步骤5、对所述晶片进行衬底减薄、切割、劈裂工艺，形成复数个完全独立的晶粒；步骤6、提供步骤5中晶粒的全测图，所述异常晶粒在全测图中的位置坐标为A’(a’，b’），坐标A’ (a’，b’）通过坐标A（a,b）转换得到；步骤7、挑选所述坐标为A’(a’，b’）的异常晶粒。