[发明专利]一种筛选异常晶粒的方法

说明书

本发明属于半导体领域，尤其涉及通过晶粒的光电性能参数筛选异常晶粒的方法，本发明通过测试晶粒的光电特性，并通过晶粒坐标转换的方法来筛选出异常晶粒，提高晶粒镜检作业时的工作效率，并且减少漏检现象发生，减少客诉率，同时提高工作效率。

技术领域

本发明属于半导体发光领域，尤其涉及一种筛选异常晶粒的方法。

背景技术

GaN 基材料是一种理想的短波长发光器件材料，应用领域涵盖白光照明、背光、及显屏等各个领域。随着外延技术能力提升，晶粒产出集中度得到极大改善，晶粒不全测不分选流程对于晶粒生产及封装厂商都有显著降成本效益，但此流程实施存在一些难题。如抽测经ESD测试后被静电击穿的晶粒，因不会经过全测电性筛选，需通过外观镜检将其挑除，然而，当晶粒外观是否有损伤完全依赖人工判断时，晶粒外观损失与否很难有统一的标准，人工镜检经常出现漏检现象，尤其是存在爆点的晶粒，是客诉的主要原因。

因此找到一种全新的筛选方式，可以将静电击穿的晶粒有效筛除，减少电性异常造成的零星外观问题检出率低的问题，影响产品品质。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明首先提出一种筛选异常晶粒的方法，其包括如下步骤：

步骤1、提供一晶片，所述晶片包括一衬底，以及位于所述衬底上的复数个间隔排列的晶粒；

步骤2、对所述复数个晶粒中的部分晶粒进行光电性能测试，获得光电性能测试结果，其中反向漏电流参数记为IR0；对所述部分晶粒再次进行ESD性能测试，获得ESD性能测试结果，其中反向漏电流参数记为IR1；

步骤3、用ESD性能测试结果中反向漏电流参数IR1的值替换光电性能测试结果中反向漏电参数IR0的值， 由此得到一晶粒抽测结果，所述抽测结果中反向漏电参数记为IR0’，设定IR0’的标准值，反向漏电流IR0’大于标准值的晶粒判定为异常晶粒；

步骤4、根据所述抽测结果绘制晶粒抽测图，并标记异常晶粒在晶粒抽测图中的位置坐标为A（a,b）；

步骤5、对所述晶片进行衬底减薄、切割、劈裂工艺，形成复数个完全独立的晶粒；

步骤6、提供步骤5中晶粒的全测图，所述异常晶粒在全测图中的位置坐标为A’(a’，b’），坐标A’ (a’，b’）通过坐标A（a,b）的坐标转换得到；

步骤7、挑选所述坐标为A’的异常晶粒。

优选的，所述抽测图具有一个抽测定位标记，所述全测图具有一个全测定位 ，而所述全测定位标记对应于所述抽测定位标记。

优选的，所述抽测图中反向漏电流IR0’的值等于IR1的值。

优选的，不同尺寸和发光波长的晶粒其IR0’的标准值不同。

优选的，所述坐标坐标为A（a,b）与坐标A’ (a’，b’）的坐标关系为：a’=a×晶粒在X方向的抽测间距，b’=b×晶粒在Y方向的抽测间距，所述抽测间距是晶粒在抽测过程中设定的一颗晶粒至另一颗晶粒的移动间距。

优选的，所述全测图包括单片晶片中全部晶粒的坐标。

优选的，所述晶粒的ESD测试模式包括人体放电模式和机械放电模式。

优选的，对晶粒光电性能的测试结果还包括晶粒的正向电压、反向电流、光强、光强分布特性、峰值发射波长、光谱辐射带宽和光谱功率分布。

优选的，所述晶粒在通入电流时可以发出蓝光或者红光或者紫外光或者绿光或者白光中的任意一种光。

本发明至少具有以下有益效果：通过测试晶粒的光电特性，并通过异常晶粒坐标转换的方法来判定异常晶粒在全测图中的位置，进而对异常晶粒进行筛除，提高晶粒镜检作业时的工作效率，并且防止漏检现象发生，减少客诉率，同时提高工作效率。