[发明专利]一种等离子体装置及其应用在审
| 申请号: | 201710707689.5 | 申请日: | 2017-08-17 |
| 公开(公告)号: | CN109402599A | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
| 发明(设计)人: | 邢政;付凯;李华;崔志国 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号: | C23C16/02 | 分类号: | C23C16/02;C23C16/50 |
| 代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王茹;王锋 |
| 地址: | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种等离子体装置及其应用。所述等离子体装置包括等离子体发生器、密封机构、第一电极、第二电极、第一电极板以及第二电极板;所述密封机构能够与薄膜沉积设备的真空腔室配合形成密封空间,第一电极及第二电极设置于密封机构上,第一电极分别与等离子体发生器和第一电极板连接,第二电极与第二电极板连接,第二电极还用于与薄膜沉积设备的外壳连接,第一电极板与第二电极板之间设有用以容置待处理样品的、可调的间距,该间距能够在等离子体发生器工作时形成等离子体区域。本发明的等离子体装置结构简单、灵活,可实现样品预处理与薄膜生长在同一真空环境下完成,避免转移时产生的二次污染问题以及半导体器件中的表面态问题。 | ||
| 搜索关键词: | 电极板 等离子体装置 第二电极 等离子体发生器 第一电极 密封机构 薄膜沉积设备 等离子体区域 半导体器件 样品预处理 薄膜生长 二次污染 密封空间 外壳连接 真空环境 真空腔室 表面态 可调的 容置 应用 灵活 配合 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体装置,可与薄膜沉积设备的真空腔室连接,其特征在于,所述装置包括等离子体发生器、密封机构、第一电极、第二电极、第一电极板以及第二电极板;所述密封机构至少能够与薄膜沉积设备的真空腔室配合形成密封空间,所述第一电极及第二电极设置于密封机构上,所述第一电极分别与所述等离子体发生器和第一电极板连接,所述第二电极与第二电极板连接,所述第二电极还用于与薄膜沉积设备的外壳连接;所述第一电极板与第二电极板之间设置有至少用以容置待处理样品的、可调的间距,当所述等离子体发生器处于工作状态时,至少在所述间距内形成等离子体区域。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





