[发明专利]一种等离子体装置及其应用

权利要求书

1.一种等离子体装置，可与薄膜沉积设备的真空腔室连接，其特征在于，所述装置包括等离子体发生器、密封机构、第一电极、第二电极、第一电极板以及第二电极板；

所述密封机构至少能够与薄膜沉积设备的真空腔室配合形成密封空间，所述第一电极及第二电极设置于密封机构上，所述第一电极分别与所述等离子体发生器和第一电极板连接，所述第二电极与第二电极板连接，所述第二电极还用于与薄膜沉积设备的外壳连接；所述第一电极板与第二电极板之间设置有至少用以容置待处理样品的、可调的间距，当所述等离子体发生器处于工作状态时，至少在所述间距内形成等离子体区域。

2.根据权利要求1所述的等离子体装置，其特征在于：所述装置还包括可设置于薄膜沉积设备的真空腔室内的电极板连动结构，所述电极板连动结构能够带动第一电极板和第二电极板中的至少一者移动，从而调节第一电极板与第二电极板的间距。

3.根据权利要求2所述的等离子体装置，其特征在于：所述电极板连动结构包括第一传动杆、第二传动杆以及传动轴承，所述第一传动杆、第二传动杆分别与传动轴承活动连接，所述第二传动杆与第一电极板或第二电极板固定连接。

4.根据权利要求3所述的等离子体装置，其特征在于：所述装置还包括与所述电极板连动结构连接的旋转部件，所述旋转部件包括旋转接口和旋转控制组件，所述旋转接口设置于密封机构内侧，且与所述第一传动杆连接，所述旋转控制组件设置于密封机构外侧。

5.根据权利要求1所述的等离子体装置，其特征在于：所述密封机构两侧分别设置有与第一电极连接的第一电极外接线柱、第一电极内接线柱，所述第一电极外接线柱通过导线与等离子体发生器连接，所述第一电极内接线柱通过第一电极连接线与第一电极板连接。

6.根据权利要求1所述的等离子体装置，其特征在于：所述密封机构两侧分别设置有与第二电极连接的第二电极外接线柱、第二电极内接线柱，所述第二电极外接线柱通过导线与薄膜沉积设备的外壳连接，所述第二电极内接线柱通过第二电极连接线与第二电极板连接。

7.根据权利要求5或6所述的等离子体装置，其特征在于：所述第一电极外接线柱、第一电极内接线柱、第二电极外接线柱或第二电极内接线柱与密封机构之间设置有绝缘材料，所述绝缘材料优选地包括陶瓷。

8.根据权利要求5或6所述的等离子体装置，其特征在于：所述第一电极连接线呈螺旋缠绕状；和/或，所述第二电极连接线呈直线弯折状；优选的，所述第一电极连接线、第二电极连接线上均套设有陶瓷绝缘柱。

9.根据权利要求1或2所述的等离子体装置，其特征在于：所述第一电极板、第二电极板均包括至少两个同心设置的圆形金属板；优选的，所述第一电极板、第二电极板上均设置有复数个相对于电极板的圆心对称分布的、供电极连接线接入的接线点；尤其优选的，所述接线点的个数在4个以上。

10.根据权利要求3所述的等离子体装置，其特征在于：所述第一传动杆或第二传动杆的材质选自金属和/或碳碳复合材料；优选的，所述金属包括钼和/或钨。

11.权利要求1-10中任一项所述的等离子体装置于薄膜制备领域中的应用。

12.一种薄膜沉积设备，包括真空腔室，其特征在于还包括：与所述真空腔室连接的权利要求1-10中任一项所述的等离子体装置。

13.根据权利要求12所述的薄膜沉积设备，其特征在于：所述真空腔室内设置有样品支架，所述等离子装置设置于所述样品支架的上方。

14.根据权利要求12或13所述的薄膜沉积设备，其特征在于：所述薄膜沉积设备包括低压化学气相沉积设备。