[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。在具有电容元件的半导体器件中，通过减薄电容元件的电极之间的绝缘膜且增厚层间绝缘膜而避免由寄生MOSFET的产生导致的泄漏电流的增大。半导体器件具备包括形成在电容元件区中的半导体衬底的主表面上的下电极；以及通过氮化硅膜和包括在不同于电容元件区的区域中的半导体衬底上的氧化硅膜、氮化硅膜及氧化硅膜的层间绝缘膜，正好形成在下电极上的上电极。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括在所述半导体衬底的主表面上方的第一区、第二区、第三区以及第四区；第一导电类型的第一半导体区，所述第一半导体区形成在所述第一区中的所述半导体衬底的所述主表面上方；第一导电类型的第二半导体区，所述第二半导体区形成在所述第二区中的所述半导体衬底的所述主表面上方；下电极，所述下电极形成在所述第三区中的所述半导体衬底的所述主表面上方；上电极，所述上电极通过第二氧化硅膜和氮化硅膜形成在所述下电极上方，与所述氮化硅膜的顶表面接触；层间绝缘膜，所述层间绝缘膜包括顺序地形成在所述第一区和所述第二区之间的第四区中的所述半导体衬底的所述主表面上方的第一氧化硅膜、所述氮化硅膜以及第三氧化硅膜；以及形成在所述第四区中的所述层间绝缘膜上方的布线，其中，所述下电极和所述上电极形成电容元件。