[发明专利]防止划片损伤的CMOS图像传感器结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种防止划片损伤的CMOS图像传感器结构及其制作方法，通过在电路硅片的硅衬底上表面沿划片槽区域形成延伸至划片槽两侧的保护环上方位置的划片保护凹槽，在划片保护凹槽内壁表面形成阻挡层及在划片保护凹槽内进行介质层填充，并通过与位于其下方的沟槽隔离结构以及保护环结合，在芯片内部区域外围形成了一个复合的保护环结构，使得在介质层中因划片损伤造成的裂缝被阻挡层屏蔽，不会进一步沿着硅衬底一直延伸到芯片内部区域，因此不会对芯片造成不良影响，从而保证了CMOS图像传感器的性能和功能，提高了成品率和可靠性。

主权项

一种防止划片损伤的CMOS图像传感器结构，其特征在于，至少包括一电路硅片；所述电路硅片自上而下包括：硅衬底、第一介质层；所述电路硅片设有多个芯片内部区域，各芯片内部区域之间围绕设有划片槽区域；所述划片槽区域与其两侧芯片内部区域之间的第一介质层中设有围绕每个芯片内部区域的保护环；所述芯片内部区域包括：设于硅衬底下表面用于感光的像素单元阵列和设于第一介质层中的第一金属互连层；所述划片槽区域包括：设于硅衬底上表面且延伸至划片槽区域两侧保护环上方位置的划片保护凹槽；所述划片保护凹槽内填充有第二介质层，所述划片保护凹槽底部通过设于硅衬底下表面的沟槽隔离结构连接保护环上端。