[发明专利]一种制备单层二维过渡金属硫化物材料的方法

摘要

本发明属于材料制备技术领域，特别涉及一种制备单层二维过渡金属硫化物材料的方法。本发明采用氧化之后的M箔片作为CVD制备二维材料的M前驱物，X粉为X源，通过CVD高温区和低温区设置，采用特定的升温和冷却程序，制备得到结晶性良好的单层二维材料MX2，为之后的大面积二维材料的生长制备提供了新的思路。

主权项

1.一种制备单层二维过渡金属硫化物材料的方法，其特征在于：所述方法在石英管中进行，石英管分为区域1和2，分别是CVD的低温区和高温区，所述步骤包括：(1)、首先，将清洗干净的M金属箔片置于石英管的高温区域2中的2处，升温至400℃，对M金属箔片进行空气中常压退火处理，使其充分氧化为M的氧化物MO3-X；(2)、将切割好的的单抛石英片洗净后干燥备用；(3)、将步骤(2)所得取洗净且干燥的单抛石英片置于干净的石英舟上，将两者一起置于石英管的高温区域2的3处，将步骤(1)中制备得到的MO3-X放置于石英管的高温区域2的2处；最后取用S粉或Se粉于干净的石英舟中，放置于石英管的低温区域1的1处；(4)、高温区和低温区的升温和冷却均在可控的压强中进行，环境为H2/Ar的混合气氛4，样品制备前，设置区域1的控温程序为保持室温25min，随后以10℃/min的升温速率升温区域1至120℃并保持10min，最后程序结束，区域1冷却至室温；设置区域2的控温程序为以18℃/min的升温速率由室温升至200℃保持5min，随后以35℃/min的升温速率升温至900℃并保持10min，最后程序结束，区域2冷却至室温。