[发明专利]形成氮化硅的方法、相关半导体结构及硅前体在审
| 申请号： | 201710691033.9 | 申请日： | 2017-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN107731659A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 苏密特·C·潘迪;布伦达·D·克劳斯;斯特凡·乌伦布罗克;约翰·A·斯迈思;蒂莫西·A·奎克 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/762;C23C16/56;C23C16/455;C23C16/34 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供形成氮化硅的方法、相关半导体结构及硅前体。在低于或等于约275℃的温度下通过原子层沉积在衬底上形成氮化硅。将所述已形成的氮化硅暴露于等离子体。所述氮化硅可形成为氮化硅的一部分或氮化硅的至少一个其它部分。氮化硅的所述部分及氮化硅的所述至少一个其它部分可暴露于等离子体处理。本发明还揭示形成半导体结构的方法、半导体结构及硅前体。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 氮化 方法 相关 半导体 结构 硅前体 | ||
【主权项】：
一种形成氮化硅的方法，其包括：在低于或等于约275℃的温度下通过原子层沉积在衬底上形成氮化硅；及将所述已形成的氮化硅暴露于等离子体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
