[发明专利]闪速存储器装置

摘要

本发明涉及闪速存储器装置，提供一种制造闪速存储器装置的方法，包括：提供绝缘体上硅(silicon‑on‑insulator；SOI)衬底，尤其是完全耗尽型绝缘体上硅(fully depleted silicon‑on‑insulator；FDSOI)衬底，其包括半导体块体衬底、形成于该半导体块体衬底上的埋置氧化物层以及形成于该埋置氧化物层上的半导体层；以及在该SOI衬底上形成存储器装置。在该SOI衬底上形成该闪速存储器装置包括形成闪速晶体管装置以及读取晶体管装置。

主权项

一种制造闪速存储器装置的方法，包括：提供绝缘体上硅(silicon‑on‑insulator；SOI)衬底，其包括半导体块体衬底、形成于该半导体块体衬底上的埋置氧化物层以及形成于该埋置氧化物层上的半导体层；在该半导体块体衬底上及该半导体块体衬底中形成闪速晶体管装置；以及在该半导体块体衬底上及该半导体块体衬底中形成读取晶体管装置；其中，形成该闪速晶体管装置包括自该半导体层的一部分形成浮置栅极、在该浮置栅极上形成绝缘层以及在该绝缘层上形成控制栅极；以及形成该读取晶体管装置包括移除位于该SOI衬底的区域中的该半导体层的一部分及该埋置氧化物层的一部分，从而暴露该半导体块体衬底的一部分的表面，在该半导体块体衬底的该暴露表面上形成栅极介电层以及在该栅极介电层上方形成栅极电极。