[发明专利]一种快速制备有机电子元器件的方法

摘要

本发明申请涉及一种快速制备有机电子元器件的方法，包括在柔性基底上形成第一导电层；对第一导电层进行后处理；在经过后处理的导电层上形成绝缘层；对所述绝缘层进行后处理；在经过后处理的绝缘层上形成第二导电层；对所述第二导电层进行后处理；在经过处理的第二导电层上形成半导体层；对所述半导体层进行后处理。本发明用卤钨灯照射可在几秒中内完成对薄膜的后处理，整个晶体管制备过程中的后处理时间由传统加热退火近3小时缩短至15秒，并且所得电极层和绝缘层的性能与传统加热退火所得性能相当。本发明所述方法，缩短了有机电子元器件制备所需要的时间，极大地提高了生产效率，利于工业化。

主权项

一种快速制备有机电子元器件的方法，包括以下步骤：a)在柔性基底上形成第一导电层；b)对所述第一导电层进行后处理；c)在经过后处理的导电层上形成绝缘层；d)对所述绝缘层进行后处理；e)在经过后处理的绝缘层上形成第二导电层；f)对所述第二导电层进行后处理；g)在经过后处理的第二导电层上形成半导体层；h)对所述半导体层进行后处理，其中所述b)对所述第一导电层进行后处理、所述d)对所述绝缘层进行后处理、所述f)对所述第二导电层进行后处理以及所述h)对所述半导体层进行后处理是指将所述层置于卤钨灯下照射。