[发明专利]基板处理装置、基板处理方法及存储有实行基板处理方法的程序的存储介质有效
申请号: | 201710657588.1 | 申请日: | 2017-08-03 |
公开(公告)号: | CN107689337B | 公开(公告)日: | 2023-07-28 |
发明(设计)人: | 户岛孝之;寺田正一;中村淳司 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及基板处理装置、基板处理方法及存储有实行基板处理方法的程序的存储介质。本发明的目的在于,提供能够有效地从基板将该基板上的附着物去除的基板处理装置及基板处理方法。利用处理液供给部向基板供给处理液,所述处理液含有附着物的去除剂和具有比去除剂的沸点低的沸点的溶剂;接着,利用基板加热部在处理液中的溶剂的沸点以上且低于去除剂的沸点的规定温度下对基板进行加热;接着,利用冲洗液供给部向基板供给冲洗液,由此从基板去除附着物。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 存储 实行 程序 介质 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,其具备:用于从基板将所述基板上的附着物去除的去除处理部;和用于控制所述去除处理部的动作的控制部,所述去除处理部具备:处理液供给部:其向所述基板供给处理液,所述处理液含有所述附着物的去除剂和具有比所述去除剂的沸点低的沸点的溶剂;基板加热部:其在所述溶剂的沸点以上且低于所述去除剂的沸点的规定温度下对所述基板进行加热;以及冲洗液供给部:其向所述基板供给冲洗液,所述控制部以如下方式控制所述处理液供给部、所述基板加热部及所述冲洗液供给部:所述处理液供给部向所述基板供给所述处理液;接着,所述基板加热部在所述规定温度下对所述基板加热,由此促进所述溶剂的蒸发及所述附着物与所述去除剂的反应;接着,所述冲洗液供给部向所述基板供给所述冲洗液,由此从所述基板去除所述附着物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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