[发明专利]基板处理装置、基板处理方法及存储有实行基板处理方法的程序的存储介质

说明书

本发明涉及基板处理装置、基板处理方法及存储有实行基板处理方法的程序的存储介质。本发明的目的在于，提供能够有效地从基板将该基板上的附着物去除的基板处理装置及基板处理方法。利用处理液供给部向基板供给处理液，所述处理液含有附着物的去除剂和具有比去除剂的沸点低的沸点的溶剂；接着，利用基板加热部在处理液中的溶剂的沸点以上且低于去除剂的沸点的规定温度下对基板进行加热；接着，利用冲洗液供给部向基板供给冲洗液，由此从基板去除附着物。

技术领域

本发明涉及用于从基板将该基板上的附着物去除的基板处理装置及基板处理方法、以及存储有实行该基板处理方法的程序的存储介质。

背景技术

在半导体装置的制造工序中，进行如下工序：使用抗蚀膜作为掩膜材料对形成于半导体晶圆等的基板上的被蚀刻膜(例如，层间绝缘膜、金属膜等)进行蚀刻，从而图案化成规定的图案。

另一方面，最近，使用了低介电常数膜(Low-k膜)作为层间绝缘膜的Cu多层布线技术受到关注，对于这样的Cu多层布线技术，采用了在Low-k膜上形成埋入布线槽或孔、在其中埋入Cu的双镶嵌法。作为Low-k膜，大多使用有机系Low-k膜，对这样的有机系Low-k膜进行蚀刻时，不能充分获得与作为相同有机膜的抗蚀膜的选择比，因此使用Ti膜、TiN膜等无机系硬掩膜作为蚀刻用的掩膜材料。即，将抗蚀膜作为掩膜材料而将硬掩膜蚀刻成规定的图案时，将蚀刻成规定的图案的硬掩膜作为掩膜材料，对Low-k膜进行蚀刻。

需要去除蚀刻后残留在基板上的抗蚀膜、硬掩膜等不必要的附着物。对于这些不必要的附着物的去除，例如如下进行：使用单片式清洗装置，边使作为被处理基板的半导体晶圆旋转，边向中心连续供给去除液，一边利用离心力使去除液在半导体晶圆整面展开一边进行(例如专利文献1、专利文献2、专利文献3)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-146594号公报

专利文献2：日本特开2010-114210号公报

专利文献3：日本特开2013-207080号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明的目的在于，提供能够有效地从基板将该基板上的附着物(例如，抗蚀膜、硬涂膜等)去除的基板处理装置及基板处理方法、以及存储有实行该基板处理方法的程序的存储介质。

用于解决问题的方案

为了解决上述问题，本发明提供以下技术方案。

[1]一种基板处理装置，其具备：用于从基板将前述基板上的附着物去除的去除处理部；和用于控制前述去除处理部的动作的控制部，

前述去除处理部具备：

处理液供给部：其向前述基板供给处理液，所述处理液含有前述附着物的去除剂和具有比前述去除剂的沸点低的沸点的溶剂；

基板加热部：其在前述溶剂的沸点以上且低于前述去除剂的沸点的规定温度下对前述基板进行加热；以及

冲洗液供给部：其向前述基板供给冲洗液，

前述控制部以如下方式控制前述处理液供给部、前述基板加热部及前述冲洗液供给部：前述处理液供给部向前述基板供给前述处理液；接着，前述基板加热部对前述基板在前述规定温度下加热，由此，促进前述溶剂的蒸发及前述附着物与前述去除剂的反应；接着，前述冲洗液供给部向前述基板供给前述冲洗液，由此从前述基板去除前述附着物。

[2]根据[1]所述的基板处理装置，其中，前述处理液还含有增稠剂。