[发明专利]一种晶圆化学研磨系统及方法

摘要

本发明公开了一种晶圆化学研磨系统及方法，系统包括真空腔、六轴机械手臂、纳秒激光发生器、3D成像仪、晶圆、操作平台；晶圆固定安装在操作平台上，纳秒激光发生器固定安装在六轴机械手臂上；六轴机械手臂、3D成像仪、操作平台均设置在真空腔内，真空腔内填充有Cl2气体；3D成像仪对晶圆表面进行3D成像扫描，获得晶圆表面的形貌信息，计算需要研磨的位置坐标参数；纳秒激光发生器产生纳秒激光束，对准晶圆表面的需要研磨的位置坐标，对晶圆表面进行研磨。本发明由于不使用化学研磨剂，且化学反应的生成产物为气体，故在原理上没有残留化学研磨剂对晶圆造成持续腐蚀的可能，可提高研磨工艺的良品率。同时避免残余应力的产生，不会产生热应力效应。

主权项

一种晶圆化学研磨系统，其特征在于：包括真空腔(11)、六轴机械手臂(13)、纳秒激光发生器(14)、3D成像仪(15)、晶圆(16)、操作平台(17)；所述晶圆(16)固定安装在所述操作平台(17)上，所述纳秒激光发生器(14)固定安装在所述六轴机械手臂(13)上；所述六轴机械手臂(13)、3D成像仪(15)、操作平台(17)均设置在所述真空腔(11)内，所述真空腔(11)内填充有Cl2气体(12)；所述3D成像仪(15)对所述晶圆(16)表面进行3D成像扫描，获得晶圆(16)表面的形貌信息，计算需要研磨的位置坐标参数；所述纳秒激光发生器(14)产生纳秒激光束(141)，对准所述晶圆(16)表面的需要研磨的位置坐标，对所述晶圆(16)表面进行研磨。