[发明专利]一种晶圆化学研磨系统及方法

权利要求书

1.一种晶圆化学研磨系统，其特征在于：包括真空腔(11)、六轴机械手臂(13)、纳秒激光发生器(14)、3D成像仪(15)、晶圆(16)、操作平台(17)；

所述晶圆(16)固定安装在所述操作平台(17)上，所述纳秒激光发生器(14)固定安装在所述六轴机械手臂(13)上；所述六轴机械手臂(13)、3D成像仪(15)、操作平台(17)均设置在所述真空腔(11)内，所述真空腔(11)内填充有Cl₂气体(12)；所述3D成像仪(15)对所述晶圆(16)表面进行3D成像扫描，获得晶圆(16)表面的形貌信息，计算需要研磨的位置坐标参数；所述纳秒激光发生器(14)产生纳秒激光束(141)，对准所述晶圆(16)表面的需要研磨的位置坐标，对所述晶圆(16)表面进行研磨。

2.一种晶圆化学研磨方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：3D成像仪(15)对所述晶圆(16)表面进行3D成像扫描，获得晶圆(16)表面的形貌信息，计算需要研磨的位置坐标参数；

步骤2：纳秒激光发生器(14)产生纳秒激光束(141)，对准所述晶圆(16)表面的需要研磨的位置坐标，融化所述晶圆(16)表面材料，并使融化后的表面材料与封闭腔体中的Cl₂反应生成气体来达到研磨目的。

3.根据权利要求2所述的晶圆化学研磨方法，其特征在于：步骤2中，所述纳秒激光束(141)垂直照射到所述晶圆(16)表面上。

4.根据权利要求2或3所述的晶圆化学研磨方法，其特征在于：步骤2中，所述纳秒激光束(141)的激光能量密度不小于0.8J/cm²，同时不大于3J/cm²。

5.根据权利要求2或3所述的晶圆化学研磨方法，其特征在于：骤2中，所述融化后的表面材料与封闭腔体中的Cl₂反应生成气体，反应化学式为：

Si_(固)+Cl_2(气)→SiCl_2(气)+Cl_2(气)+SiCl_2(气)。