[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板和显示装置

摘要

本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板和显示装置。该制造方法包括：在源漏金属层远离基板的一侧形成钝化层后，将钝化层的第一部分中的氮化硅层去除，第一部分在基板上的正投影覆盖沟道区在基板上的正投影，其中，钝化层包括至少一层氮化硅层，最后再利用高温退火工艺，对所述薄膜晶体管进行处理。在本发明实施例中，由于钝化层的第一部分中的氮化硅层被去除，因此在利用高温退火工艺对薄膜晶体管进行处理时，氮化硅层中的氢不会渗透至有源层，有源层仍为半导体，使得薄膜晶体管能够行使其开关功能的同时，还更好的改善了薄膜晶体管的氧缺陷。

主权项

一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在一基板上形成栅极；在所述栅极远离所述基板的一侧形成绝缘层；在所述绝缘层远离所述基板的一侧形成有源层，其中，所述有源层由氧化物材料制成，所述有源层包括沟道区；在所述有源层远离所述基板的一侧形成源漏金属层，所述源漏金属层包括源极和漏极；在所述源漏金属层远离所述基板的一侧形成钝化层，所述钝化层包括至少一层氮化硅层；将所述钝化层的第一部分中的氮化硅层去除，所述第一部分在所述基板上的正投影覆盖所述沟道区在所述基板上的正投影；利用高温退火工艺，对所述薄膜晶体管进行处理。