[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板和显示装置

说明书

本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板和显示装置。该制造方法包括：在源漏金属层远离基板的一侧形成钝化层后，将钝化层的第一部分中的氮化硅层去除，第一部分在基板上的正投影覆盖沟道区在基板上的正投影，其中，钝化层包括至少一层氮化硅层，最后再利用高温退火工艺，对所述薄膜晶体管进行处理。在本发明实施例中，由于钝化层的第一部分中的氮化硅层被去除，因此在利用高温退火工艺对薄膜晶体管进行处理时，氮化硅层中的氢不会渗透至有源层，有源层仍为半导体，使得薄膜晶体管能够行使其开关功能的同时，还更好的改善了薄膜晶体管的氧缺陷。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板和显示装置。

背景技术

在现有技术中，为了保护氧化物薄膜晶体管中的结构不被水氧侵蚀，需要在氧化物薄膜晶体管的最外侧设置钝化层，该钝化层中包括氮化硅层和氧化硅层，且氮化硅层相比氧化硅层具有更好的阻水氧能力，在采用上述设计制造氧化物薄膜晶体管时，需要对氧化物薄膜晶体管进行高温退火工艺处理，其中，高温退火工艺相对于低温退火工艺而言更有助于改善氧化物薄膜晶体管的氧缺陷，但在对上述结构的氧化物薄膜晶体管进行高温退火工艺处理时，氧化物薄膜晶体管易丧失开关功能。

发明内容

本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板和显示装置，用于解决现有技术中，在采用高温退火工艺对氧化物薄膜晶体管进行处理时后，氧化物薄膜晶体管丧失开关功能的问题。

一方面，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管的制造方法，所述方法包括：

在一基板上形成栅极；

在所述栅极远离所述基板的一侧形成绝缘层；

在所述绝缘层远离所述基板的一侧形成有源层，其中，所述有源层由氧化物材料制成，所述有源层包括沟道区；

在所述有源层远离所述基板的一侧形成源漏金属层，所述源漏金属层包括源极和漏极；

在所述源漏金属层远离所述基板的一侧形成钝化层，所述钝化层包括至少一层氮化硅层；

将所述钝化层的第一部分中的氮化硅层去除，所述第一部分在所述基板上的正投影覆盖所述沟道区在所述基板上的正投影；

利用高温退火工艺，对所述薄膜晶体管进行处理。

可选地，所述钝化层还包括至少一层氧化硅层，所述至少一层氮化硅层和所述至少一层氧化硅层层叠形成。

可选地，所述将所述钝化层中的第一部分中的氮化硅层去除，包括：

在所述氮化硅层远离所述基板的一侧形成光刻胶膜层；

所述光刻胶膜层远离所述基板的一侧覆盖半透掩膜板；

对所述光刻胶膜层进行曝光；

移除所述半透掩膜板；

对所述光刻胶层进行显影处理，以使所述光刻胶膜层形成指定图案；

利用具有指定图案的所述光刻胶膜层，采用反应离子刻蚀工艺，对所述氮化硅层进行处理，以将所第一部分中的所述氮化硅层去除，以及形成贯穿所述钝化层的过孔，所述过孔在所述基板上的正投影位于所述漏极在所述基板上的正投影内；

将具有指定图案的所述光刻胶膜层移除。

可选地，所述利用高温退火工艺，对所述薄膜晶体管进行处理，包括：

在300℃-500℃的温度条件下，对所述薄膜晶体管进行处理。

可选地，在所述有源层远离所述基板的一侧形成源漏金属层后，且在所述源漏金属层远离所述基板的一侧形成钝化层之前，所述方法还包括：