[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在一基板上形成栅极；

在所述栅极远离所述基板的一侧形成绝缘层；

在所述绝缘层远离所述基板的一侧形成有源层，其中，所述有源层由氧化物材料制成，所述有源层包括沟道区；

在所述有源层远离所述基板的一侧形成源漏金属层，所述源漏金属层包括源极和漏极，其中，对所述源漏金属层进行图案化处理得到所述源极和所述漏极；

在所述源漏金属层远离所述基板的一侧形成钝化层，所述钝化层包括至少一层氮化硅层；

将所述钝化层的第一部分中的氮化硅层去除，所述第一部分在所述基板上的正投影覆盖所述沟道区在所述基板上的正投影；

利用高温退火工艺，对所述薄膜晶体管进行处理。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述钝化层还包括至少一层氧化硅层，所述至少一层氮化硅层和所述至少一层氧化硅层层叠形成。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述将所述钝化层中的第一部分中的氮化硅层去除，包括：

在所述氮化硅层远离所述基板的一侧形成光刻胶膜层；

所述光刻胶膜层远离所述基板的一侧覆盖半透掩膜板；

对所述光刻胶膜层进行曝光；

移除所述半透掩膜板；

对所述光刻胶膜层进行显影处理，以使所述光刻胶膜层形成指定图案；

利用具有指定图案的所述光刻胶膜层，采用反应离子刻蚀工艺，对所述氮化硅层进行处理，以将所述第一部分中的所述氮化硅层去除，以及形成贯穿所述钝化层的过孔，所述过孔在所述基板上的正投影位于所述漏极在所述基板上的正投影内；

将具有指定图案的所述光刻胶膜层移除。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述利用高温退火工艺，对所述薄膜晶体管进行处理，包括：

在300℃-500℃的温度条件下，对所述薄膜晶体管进行处理。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述有源层远离所述基板的一侧形成源漏金属层后，且在所述源漏金属层远离所述基板的一侧形成钝化层之前，所述方法还包括：

在所述源漏金属层远离所述基板的一侧形成刻蚀阻挡层；

对所述刻蚀阻挡层进行图案化，使图案化的刻蚀阻挡层在所述基板上的正投影覆盖所述沟道区在所述基板上的正投影；

其中，所述刻蚀阻挡层的材料由氧化硅和/或氧化铝构成。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，制成所述有源层的材料包括铟镓锌氧化物。

7.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：

位于一基板上的栅极；

绝缘层，所述绝缘层位于所述栅极远离所述基板的一侧；

有源层，所述有源层位于所述绝缘层远离所述基板的一侧，其中，所述有源层由氧化物材料制成，所述有源层包括沟道区；

源漏金属层，所述源漏金属层位于所述有源层远离所述基板的一侧，所述源漏金属层包括源极和漏极；

钝化层，所述钝化层位于所述源漏金属层远离所述基板的一侧，所述钝化层包括至少一层氮化硅层和至少一层氧化硅层，至少一层所述氧化硅层位于所述源漏金属层和所述氮化硅层之间，且覆盖所述沟道区，所述钝化层的第一部分中不包括所述氮化硅层，所述第一部分在所述基板上的正投影完全覆盖所述沟道区在所述基板上的正投影。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述钝化层包括一层所述氮化硅层。

9.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述至少一层氮化硅层和所述至少一层氧化硅层层叠设置。

10.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：

刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层位于所述有源层和所述钝化层之间，且所述刻蚀阻挡层在所述基板上的正投影覆盖所述沟道区在所述基板上的正投影；

其中，所述刻蚀阻挡层的材料由氧化硅和/或氧化铝构成。