[发明专利]一种用硅胶包覆GPP芯片灌封桥式整流器的制造方法

摘要

一种用硅胶包覆GPP芯片灌封桥式整流器的制造方法，步骤包括:将若干个GPP芯片放入分向吸盘中，所述分向吸盘包括吸盘本体，在吸盘本体上间隔设有若干排吸盘孔，所述吸盘孔为大吸盘孔和小吸盘孔间隔设置，大吸盘孔与GPP芯片的N极相配合，小吸盘孔与GPP芯片的P极相配合，晃动分向吸盘后，GPP芯片落入吸盘孔内，通过向分向吸盘孔施加负压使得GPP芯片吸附在分向吸盘上；去除了裂片、酸腐蚀、高纯水清洗绝缘硅胶高温硫化等步骤，共缩短生产周期12小时每批。台面工艺制程的GPP芯片组焊工艺，采用合金导线与芯片接触位置采用的是钉头凸点结构，此结构解决了因焊接过程中产生的气孔虚连，从而提升了器件的正向浪涌能力。

主权项

1.一种用硅胶包覆GPP芯片灌封桥式整流器的制造方法，其特征在于：步骤包括:(1)将若干个GPP芯片放入分向吸盘中，所述分向吸盘包括吸盘本体，在吸盘本体上间隔设有若干排吸盘孔，所述吸盘孔为大吸盘孔和小吸盘孔间隔设置，大吸盘孔与GPP芯片的N极相配合，小吸盘孔与GPP芯片的P极相配合，晃动分向吸盘后，GPP芯片落入吸盘孔内，通过向分向吸盘孔施加负压使得GPP芯片吸附在分向吸盘上；(2)在焊接治具上间隔布设若干导线，每个导线的位置与吸附在分向吸盘上的在斜45°上相邻的两GPP芯片位置相对；(3)将步骤(1)吸有GPP芯片的分向吸盘覆盖在焊接治具上，除去施加在分向吸盘上的负压，分向吸盘上的GPP芯片掉落在焊接治具上，在斜45°上相邻的两GPP芯片压在相应的导线上，在GPP芯片和导线之间设有焊片；(4)在步骤(3)布设好GPP芯片的焊接治具上，沿斜135°间隔布设若干导线，每个导线连接相连两GPP芯片，在导线和芯片之间设有焊片，使相连四个GPP芯片组成一个整流桥；(5)将步骤(4)的布设有若干个整流桥的焊接治具放入烧结炉中进行高温烧结，每个整流桥的四个GPP芯片和导线之间完成焊接；(6)将经过步骤(5)完成焊接的整流桥从焊接治具上取下，对每个整流桥的外侧涂覆聚烷基氢有机硅胶；(7)将经过步骤(6)的涂覆硅胶的整流桥进行固化，温度140‑150℃，时间1.8‑2小时；(8)将经过步骤(7)的整流桥进行灌封；(9)将经过步骤(8)的整流桥进行分段式高温固化，第一阶段温度80‑85℃，固化时间1.8‑2小时，第二阶段温度120‑125℃，固化时间3‑3.5小时，第三阶段温度160‑165℃，固化时间3‑3.5小时；(10)将经过步骤(9)的整流桥进行电镀；(11)将经过步骤(10)的整流桥进行包装外壳，得到成品的整流器。