[发明专利]FFS型液晶显示器及其制备方法在审
申请号: | 201710630007.5 | 申请日: | 2017-07-28 |
公开(公告)号: | CN107290886A | 公开(公告)日: | 2017-10-24 |
发明(设计)人: | 孙杰 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1333 | 分类号: | G02F1/1333;G02F1/1343 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明揭露一种FFS型液晶显示器及其制备方法,在现有制程基础上,通过一道光刻制程将两像素电极及其与公共电极间的绝缘保护层刻蚀出所需图形制备而成,无需增加光刻制程。像素电极与公共电极间形成纵向离子分散通道,有效减少像素电极上方离子电荷的聚集,解决了影响液晶显示器品质的残像问题,在有效改善液晶显示器的同时节省生产成本。 | ||
搜索关键词: | ffs 液晶显示器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种FFS型液晶显示器,包括TFT阵列基板;其特征在于,所述TFT阵列基板包括:设置在第一衬底基板上的公共电极、设置在所述公共电极上的绝缘保护层以及设置在所述绝缘保护层上的第一像素电极和第二像素电极;所述绝缘保护层在所述第一像素电极和第二像素电极之间设有暴露出所述公共电极的开孔。
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