[发明专利]FFS型液晶显示器及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其是涉及一种FFS型液晶显示器及其制备方法。

背景技术

随着光电与半导体技术的发展，液晶显示器也得到了蓬勃发展。在诸多液晶显示器中，具有高空间利用效率、体积小、显示分辨率高、低消耗功率、无辐射以及低电磁干扰等优越特性的薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)，近来已成为市场的主流。由于TFT-LCD广泛应用在笔记本电脑、手机及电视等与生活息息相关的电子产品中，人们对于图像质量的要求越来越高，因而图像质量的改善也一直作为相关领域持续追求的目标。

边缘场开关(Fringe Field Switching，简称FFS)技术是最近几年出现的可以改善LCD画质的技术之一，能同时实现高穿透性与大视角等要求。FFS型液晶显示器通过同一平面内像素间电极产生边缘电场，使电极间以及电极正上方的去向液晶分子都能在(平行于基板)平面方向发生旋转转换，从而提高液晶层的透光效率。

参考图1，现有的FFS型液晶显示器结构示意图。现有的FFS型液晶显示器的结构主要是由一TFT阵列基板11、一CF基板12、以及配置于两基板间的液晶层13所构成，其中，TFT阵列基板11包括制备在基板110上的公共电极111、绝缘保护层112、像素电极113以及配向膜114。现有的FFS型液晶显示器通过像素电极113、绝缘保护层112及公共电极111之间形成平面电场(图中虚线所示)，以此来控制液晶层13的液晶分子的旋转，从而控制图像的显示。由于其特殊的平面电场结构，残像(Image Sticking，简称IS)问题相对其他模式更为突出。

参考图2，现有的FFS型液晶显示器离子聚集效应示意图。现有的FFS型液晶显示器由于平面电场(如图中虚线所示)的作用，液晶等材料中的离子电荷201会在像素电极113处聚集，从而造成电荷残留，在液晶显示器内会导致横向偏压的产生，从而形成影响液晶显示器品质的残像问题。

因此，需要对现有的FFS型液晶显示器的设计方式进行改进，以提升液晶显示器品质、节省生产成本。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种FFS型液晶显示器及其制备方法，以解决影响液晶显示器品质的残像问题，提升液晶显示器品质，并节约生产成本。

为实现上述目的，本发明提供了一种FFS型液晶显示器，包括TFT阵列基板；所述TFT阵列基板包括：设置在第一衬底基板上的公共电极、设置在所述公共电极上的绝缘保护层以及设置在所述绝缘保护层上的第一像素电极和第二像素电极；所述绝缘保护层在所述第一像素电极和第二像素电极之间设有暴露出所述公共电极的开孔。

为实现上述目的，本发明还提供了一种FFS型液晶显示器的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：步骤1、提供一第一衬底基板，在所述第一衬底基板上形成公共电极；步骤2、在所述公共电极上形成绝缘保护层；步骤3、在所述绝缘保护层上形成像素电极层；步骤4、通过光刻制程在所述像素电极层上形成第一像素电极和第二像素电极，同时在所述第一像素电极和第二像素电极之间的所述绝缘保护层上形成暴露出所述公共电极的开孔。

本发明的优点在于，在现有制程基础上，通过一道光刻制程将两像素电极及其与公共电极间的绝缘保护层刻蚀出所需图形制备而成，无需增加光刻制程。像素电极与公共电极间形成纵向离子分散通道，有效减少像素电极上方离子电荷的聚集，解决了影响液晶显示器品质的残像问题，在有效改善液晶显示器的同时节省生产成本。

附图说明

图1，现有的FFS型液晶显示器结构示意图；

图2，现有的FFS型液晶显示器离子聚集效应示意图；

图3，本发明所述的FFS型液晶显示器结构示意图；

图4，本发明所述的FFS型液晶显示器离子分散效应示意图；

图5，本发明所述的FFS型液晶显示器的制备方法的流程图；

图6，本发明所述的FFS型液晶显示器的制备方法步骤1的示意图；

图7，本发明所述的FFS型液晶显示器的制备方法步骤2的示意图；

图8，本发明所述的FFS型液晶显示器的制备方法步骤3的示意图；

图9，本发明所述的FFS型液晶显示器的制备方法步骤4的示意图；

图10，本发明所述的FFS型液晶显示器的制备方法步骤41的示意图；

图11，本发明所述的FFS型液晶显示器的制备方法步骤42的示意图；