[发明专利]处理液生成装置和使用该处理液生成装置的基板处理装置有效
申请号: | 201710624077.X | 申请日: | 2017-07-27 |
公开(公告)号: | CN107665839B | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
发明(设计)人: | 林航之介;宫崎邦浩 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子装置股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 黄纶伟;刘畅 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供处理液生成装置和使用该处理液生成装置的基板处理装置,能够提高所生成的处理液的浓度的可靠性。该处理液生成装置生成进行了浓度调整的处理液,具有:处理液调整部,其对所述处理液的浓度进行调整;第一处理液路,其使处理液流入处理液调整部;第二处理液路,其使处理液流入处理液调整部;第一浓度计,其对作为流过第一处理液路的所述处理液的浓度的、处理液调整部的浓度调整所涉及的成分的浓度进行测定;第二浓度计,其对作为流过第二处理液路的所述处理液的浓度的、应由第一浓度计进行浓度测定的所述浓度调整所涉及的成分的浓度进行测定;第一阀机构,其进行第一处理液路的开闭;以及第二阀机构,其进行第二处理液路的开闭。 | ||
搜索关键词: | 处理 生成 装置 使用 | ||
【主权项】:
一种处理液生成装置,其生成根据浓度计的测定浓度进行了浓度调整的处理液,其中,该处理液生成装置具有:处理液调整部,其对所述处理液的浓度进行调整;第一处理液路,其使处理液流入所述处理液调整部;第二处理液路,其使处理液流入所述处理液调整部;第一浓度计,其对作为流过所述第一处理液路的所述处理液的浓度的、所述处理液调整部的浓度调整所涉及的成分的浓度进行测定;第二浓度计,其对作为流过所述第二处理液路的所述处理液的浓度的、应由所述第一浓度计进行浓度测定的所述处理液调整部的浓度调整所涉及的成分的浓度进行测定;第一阀机构,其进行所述第一处理液路的开闭;以及第二阀机构,其进行所述第二处理液路的开闭。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造