[发明专利]处理液生成装置和使用该处理液生成装置的基板处理装置有效
申请号: | 201710624077.X | 申请日: | 2017-07-27 |
公开(公告)号: | CN107665839B | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
发明(设计)人: | 林航之介;宫崎邦浩 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子装置股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 黄纶伟;刘畅 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 生成 装置 使用 | ||
1.一种处理液生成装置,其生成根据浓度计的测定浓度进行了浓度调整的处理液,其中,
该处理液生成装置具有:
处理液调整部,其对所述处理液的浓度进行调整;
第一处理液路,其使处理液流入所述处理液调整部;
第二处理液路,其使与流过所述第一处理液路的处理液相同浓度的处理液流入所述处理液调整部;
第一浓度计,其设置于所述第一处理液路,对作为流过所述第一处理液路的所述处理液的浓度的、所述处理液调整部的浓度调整所涉及的成分的浓度进行测定;
第二浓度计,其设置于所述第二处理液路,对作为流过所述第二处理液路的所述处理液的浓度的、应由所述第一浓度计进行浓度测定的所述处理液调整部的浓度调整所涉及的成分的浓度进行测定;
第一阀机构,其进行所述第一处理液路的开闭;以及
第二阀机构,其进行所述第二处理液路的开闭,
所述第一浓度计和所述第二浓度计利用分别不同的测定原理对所述处理液的浓度进行测定,以使得在同样的环境下使用的所述第一浓度计和所述第二浓度计同时发生故障的可能性变低。
2.根据权利要求1所述的处理液生成装置,其中,
所述第一处理液路包含第一循环液路,该第一循环液路使所述处理液从所述处理液调整部通过所述第一浓度计而返回到该处理液调整部,
所述第二处理液路包含第二循环液路,该第二循环液路使所述处理液从所述处理液调整部通过所述第二浓度计而返回到该处理液调整部。
3.根据权利要求1所述的处理液生成装置,其中,
该处理液生成装置具有:
第一校正液路,其使浓度已知的校正液流入所述第一浓度计;
第二校正液路,其使浓度已知的校正液流入所述第二浓度计;
第三阀机构,其对所述第一校正液路进行开闭;以及
第四阀机构,其对所述第二校正液路进行开闭。
4.根据权利要求1所述的处理液生成装置,其中,
该处理液生成装置具有处理液用阀控制部,该处理液用阀控制部根据从所述第一浓度计获得的第一测定浓度和从所述第二浓度计获得的第二测定浓度对所述第一阀机构和所述第二阀机构的动作进行控制。
5.根据权利要求4所述的处理液生成装置,其中,
所述处理液用阀控制部具有:
第一判定部,其根据所述第一测定浓度和所述第二测定浓度中的至少第一测定浓度对所述第一浓度计是否正常进行判定;以及
第一阀控制部,当由该第一判定部判定为所述第一浓度计不正常时,所述第一阀控制部对所述第一阀机构进行控制,以使得所述第一处理液路处于关闭状态。
6.根据权利要求4或5所述的处理液生成装置,其中,
所述处理液用阀控制部具有:
第二判定部,其根据所述第一测定浓度和所述第二测定浓度中的至少第二测定浓度对所述第二浓度计是否正常进行判定;以及
第二阀控制部,当由该第二判定部判定为所述第二浓度计不正常时,所述第二阀控制部对所述第二阀机构进行控制,以使得所述第二处理液路处于关闭状态。
7.根据权利要求5所述的处理液生成装置,其中,
该处理液生成装置具有:
第一校正液路,其使浓度已知的校正液流入所述第一浓度计;
第三阀机构,其对所述第一校正液路进行开闭;
第一校正液用阀控制部,当由所述第一判定部判定为所述第一浓度计不正常时,所述第一校正液用阀控制部对所述第三阀机构进行控制,以使得所述第一校正液路处于打开状态;以及
第一校正处理部,其根据在流过所述第一校正液路的校正液通过所述第一浓度计时的该第一浓度计的输出值进行该第一浓度计的校正。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芝浦机械电子装置股份有限公司,未经芝浦机械电子装置股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710624077.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种节能环保型玻化微珠生产设备
- 下一篇:箱涵节能喷淋养护装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造