[发明专利]一种叠层背钝化太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201710622999.7 | 申请日: | 2017-07-26 |
公开(公告)号: | CN107425083A | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 王学孟;刘宗涛 | 申请(专利权)人: | 顺德中山大学太阳能研究院 |
主分类号: | H01L31/049 | 分类号: | H01L31/049;H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人: | 蔡蓉 |
地址: | 528000 广东省佛山市顺*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种叠层背钝化太阳能电池及其制备方法,涉及太阳能电池技术领域。一种叠层背钝化太阳能电池,包括硅晶片、背电极、叠层TMO膜,第一层TMO薄膜覆盖于硅晶片靠近背电极的一侧表面,第二层TMO薄膜覆盖第一层TMO薄膜远离硅晶片的一侧表面的至少一部分,背电极覆盖于第二层TMO薄膜以及未被第二层TMO薄膜覆盖的第一层TMO薄膜的表面。该结构具有优异的性能,降低生产成本,简化生产工艺,可大规模生产。一种上述叠层背钝化太阳能电池的制备方法,包括采用热蒸发方法沉积形成第一层TMO薄膜及第二层TMO薄膜。该方法可通过掩膜板实现,不需要激光开模,降低生产成本,简化生产工艺。 | ||
搜索关键词: | 一种 叠层背 钝化 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种叠层背钝化太阳能电池,其特征在于,包括硅晶片、背电极、叠层TMO膜,所述叠层TMO膜包括第一层TMO薄膜与第二层TMO薄膜,所述第一层TMO薄膜覆盖于所述硅晶片靠近所述背电极的一侧表面,所述第二层TMO薄膜覆盖所述第一层TMO薄膜远离所述硅晶片的一侧表面的至少一部分,所述背电极覆盖于所述第二层TMO薄膜远离所述第一层TMO薄膜的一侧表面以及未被所述第二层TMO薄膜覆盖的所述第一层TMO薄膜的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的