[发明专利]一种叠层背钝化太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201710622999.7 | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN107425083A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 王学孟;刘宗涛 | 申请（专利权）人： | 顺德中山大学太阳能研究院 |
| 主分类号： | H01L31/049 | 分类号： | H01L31/049;H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人： | 蔡蓉 |
| 地址： | 528000 广东省佛山市顺*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 叠层背 钝化 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种叠层背钝化太阳能电池，其特征在于，包括硅晶片、背电极、叠层TMO膜，所述叠层TMO膜包括第一层TMO薄膜与第二层TMO薄膜，所述第一层TMO薄膜覆盖于所述硅晶片靠近所述背电极的一侧表面，所述第二层TMO薄膜覆盖所述第一层TMO薄膜远离所述硅晶片的一侧表面的至少一部分，所述背电极覆盖于所述第二层TMO薄膜远离所述第一层TMO薄膜的一侧表面以及未被所述第二层TMO薄膜覆盖的所述第一层TMO薄膜的表面。
2.根据权利要求1所述的叠层背钝化太阳能电池，其特征在于，所述第二层TMO薄膜包括并排间隔设置的多条TMO膜，所述多条TMO膜的面积至少为所述第一层TMO薄膜面积的50％。
3.根据权利要求2所述的叠层背钝化太阳能电池，其特征在于，所述第二层TMO薄膜包括并排等间隔设置的所述多条TMO膜。
4.根据权利要求1所述的叠层背钝化太阳能电池，其特征在于，所述第一层TMO薄膜的厚度为0～20nm。
5.根据权利要求4所述的叠层背钝化太阳能电池，其特征在于，所述第二层TMO薄膜的厚度为0～50nm。
6.根据权利要求1所述的叠层背钝化太阳能电池，其特征在于，所述第一层TMO薄膜与所述硅晶片之间设有钝化层，优选地，所述钝化层由热蒸发的所述叠层TMO膜与所述硅晶片反应而得。
7.根据权利要求6所述的叠层背钝化太阳能电池，其特征在于，所述钝化层的厚度为0～5nm。
8.根据权利要求1所述的叠层背钝化太阳能电池，其特征在于，所述背电极由透明导电氧化物材料或金属材料制成。
9.一种如权利要求1至8任一项所述的叠层背钝化太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：采用热蒸发方法在所述硅晶片的一侧表面沉积形成所述第一层TMO薄膜，采用热蒸发方法在所述第一层TMO薄膜远离所述硅晶片的一侧表面沉积形成所述第二层TMO薄膜，以及形成所述背电极，优选地，所述第二层TMO薄膜通过掩膜热蒸发沉积于所述第一层TMO薄膜。
10.根据权利要求9所述的叠层背钝化太阳能电池的制备方法，其特征在于，热蒸发的蒸发速率为0.1～2A/s。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
