[发明专利]使用外延生长的膜形成方法及外延生长装置

摘要

本文介绍在构建由作为顶面的顶板、作为底面的基板安装部分，及作为侧面的侧壁界定及形成的反应腔室时，支撑件在顶板的圆周边缘自圆周边缘的上侧及外侧支撑顶板，并且反应气体在设置于侧壁中的反应气体供应路径中经整流，使得反应腔室中处于反应气体流动方向上的水平部件对应于一水平部件，该后一水平部件在自与反应腔室相对的反应气体供应路径的开口中心延伸至反应腔室中心的方向上。

主权项

1.一种外延膜形成方法，所述方法使用反应腔室，所述反应腔室的顶面、底面及侧面由顶板、基板安装部分及侧壁界定，所述顶板在所述顶板的圆周边缘处自所述圆周边缘的上侧及外侧得以支撑，所述膜形成方法包括以下步骤：/n将基板设置在所述反应腔室的基板安装部分上；/n使用加热工具将所述反应腔室加热至生长温度；/n在设置在所述反应腔室的侧壁中的反应气体供应路径中整流反应气体，以使得所述反应腔室中的所述反应气体的流动方向上的水平部件与位于自与所述反应腔室相对的所述反应气体供应路径的开口中心延伸至所述反应腔室中心的方向上的水平部件对应；/n将经整流的所述反应气体自所述反应气体供应路径引入所述反应腔室；/n使用所述反应气体在所述基板的表面上形成膜，同时使所述基板围绕在穿过所述基板安装部分中心的垂直轴旋转；及/n将来自所述反应腔室的气体排出至排气路径，所述排气路径设置在与所述反应气体供应路径相对的所述侧壁的位置处，所述反应腔室中心位于所述排气路径与所述反应气体供应路径之间，所述加热工具包括：/n第一加热器，所述第一加热器设置在所述反应腔室上方；/n第一反射体，所述第一反射体设置在所述第一加热器上方；/n第二加热器，所述第二加热器设置在所述反应腔室下方；及/n第二反射体，所述第二反射体设置在所述第二加热器下方；/n其中所述第一反射体包括第一倾斜部分以及第一扁平部分，所述第一倾斜部分将来自所述第一加热器的热反射至所述反应腔室中心，所述第一扁平部分在垂直方向上反射来自所述第一加热器的热，其中所述第一倾斜部分及所述第一扁平部分经布置以使得所述第一倾斜部分与所述第一扁平部分的面积比达到预定比，及所述第一倾斜部分与所述第一扁平部分的分布不偏移；及/n其中所述第二反射体包括第二倾斜部分以及第二扁平部分，所述第二倾斜部分将来自所述第二加热器的热反射至所述反应腔室中心，所述第二扁平部分在垂直方向上反射来自所述第二加热器的热，其中所述第二倾斜部分及所述第二扁平部分经布置以使得所述第二倾斜部分与所述第二扁平部分的面积比达到预定比，及所述第二倾斜部分与所述第二扁平部分的分布不偏移。/n