[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法在审
| 申请号： | 201710616689.4 | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109309003A | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面具有鳍部；所述衬底上具有层间介质层，所述层间介质层的高度高于所述鳍部顶部表面；所述鳍部的部分表面暴露并在所述层间介质层内形成有开口；所述开口的底部和侧壁表面具有栅介质层；在栅介质层以上形成化学机械研磨停止层；在化学机械研磨停止层以上形成金属层，所述金属层填充满所述开口且所述金属层顶部高于所述层间介质层顶部；其中，所述化学机械研磨停止层不同于所述金属层。本发明在形成金属层之前，形成化学机械研磨停止层，通过所述化学机械研磨停止层，可以分步工艺进行处理，提高金属栅高度的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 化学机械研磨 金属层 停止层 层间介质层 鳍部 鳍式场效应晶体管 开口 栅介质层 衬底 表面暴露 侧壁表面 衬底表面 顶部表面 金属栅 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有鳍部；所述衬底上具有层间介质层，所述层间介质层的高度高于所述鳍部顶部表面；所述鳍部的部分表面暴露并在所述层间介质层内形成有开口；所述开口的底部和侧壁表面具有栅介质层；在所述栅介质层以上形成化学机械研磨停止层；在所述化学机械研磨停止层以上形成金属层，所述金属层填充满所述开口且所述金属层顶部高于所述层间介质层顶部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
